【答案】应助回帖

11楼: Originally posted by 786118827 at 2015-11-06 04:21:43
用isif=2,则不改变晶胞形状，Isif=3 会轻微改变晶胞形状（很小，因为石墨烯平面强度很大）。做弛豫的时候，除非固定原子或是只弛豫一步计算能量，原子会自动向能量更低的位置移动寻找吸附点。希望有帮助。

13楼: Originally posted by yuzy92 at 2015-11-12 10:54:23
同问呀，如果是单层吸附的话，ISIF设置为几比较合适啊？。。。我之前设的一直是4（防止真空层变化太大），但是有些情况会使接个超胞形状变化太大   。所以想请教下，ISIF=2与ISIF=3或4会对吸附能以及结构有大的影 ...

3楼: Originally posted by 1xiaohua1 at 2015-11-02 15:00:52
如何选3后，还能保证氢原子在C 上方吗？ 如果是其他二维材料吸附H时，也可以选3 ？ ，同时优化后，H还能保证在 某一原子正上方吗？ 对应吸附不太懂...