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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 信息科学 » 电子科学 » 硅基N沟道MOSFET相关问题
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fhyko

金虫 (初入文坛)

[求助] 硅基N沟道MOSFET相关问题 已有2人参与

请问工业生产用的硅基N沟道MOSFET中，一般P衬底掺杂浓度是多少？二氧化硅厚度大概多少？重掺杂N区浓度多少？
急等！
请高手指教！
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1楼 2015-09-28 00:42:18
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fhyko

金虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by likegalagala at 2015-09-28 17:12:55
去cree看看他们的产品参数，没有具体的就用参数自己动手公式算算

CREE里面只涉及SiC材料、AlGaN材料之类，没有硅的
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4楼2015-10-08 15:57:03
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likegalagala

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
去cree看看他们的产品参数，没有具体的就用参数自己动手公式算算
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2楼2015-09-28 17:12:55
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likegalagala

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
4楼: Originally posted by fhyko at 2015-10-08 15:57:03
CREE里面只涉及SiC材料、AlGaN材料之类，没有硅的...

额，不好意思我做碳化硅习惯查cree了，硅的去找硅的器件生产商，具体我没查过，不过那几个大生产商应该都有。做SiC mos，p-base区域17这个数量级吧，二氧化硅50nm-200nm我都见过，重掺杂19这个数量级。硅的相差不大
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5楼2015-10-08 18:53:14
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dorrnm

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你说的是干什么用的NMOS？根据用途不同，你说的那几个参数都是变的。
比如耐压NMOS的p衬底掺杂久比较小，注入浓度也不一样。
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6楼2015-11-06 14:49:01
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