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fhyko

金虫 (初入文坛)

[求助] 硅基N沟道MOSFET相关问题 已有2人参与

请问工业生产用的硅基N沟道MOSFET中,一般P衬底掺杂浓度是多少?二氧化硅厚度大概多少?重掺杂N区浓度多少?
急等!
请高手指教!
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likegalagala

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
去cree看看他们的产品参数,没有具体的就用参数自己动手公式算算
2楼2015-09-28 17:12:55
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feike008

木虫 (著名写手)

2楼正解
3楼2015-09-29 04:52:22
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fhyko

金虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by likegalagala at 2015-09-28 17:12:55
去cree看看他们的产品参数,没有具体的就用参数自己动手公式算算

CREE里面只涉及SiC材料、AlGaN材料之类,没有硅的
4楼2015-10-08 15:57:03
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likegalagala

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
4楼: Originally posted by fhyko at 2015-10-08 15:57:03
CREE里面只涉及SiC材料、AlGaN材料之类,没有硅的...

额,不好意思我做碳化硅习惯查cree了,硅的去找硅的器件生产商,具体我没查过,不过那几个大生产商应该都有。做SiC mos,p-base区域17这个数量级吧,二氧化硅50nm-200nm我都见过,重掺杂19这个数量级。硅的相差不大
5楼2015-10-08 18:53:14
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dorrnm

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

你说的是干什么用的NMOS?根据用途不同,你说的那几个参数都是变的。
比如耐压NMOS的p衬底掺杂久比较小,注入浓度也不一样。
6楼2015-11-06 14:49:01
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