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阿娇rital

铜虫 (小有名气)

[求助] 有关光学带隙

我经常在文献中看到一句话,若掺杂后引起导带位置向高能区移动则将导致光学带隙宽度变大,请问该如何理解?
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沉静简单
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阿娇rital

铜虫 (小有名气)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 学海浪子 at 2015-09-22 20:46:41
掺杂后得到n型半导体的话,光学带隙指的是费米能级到价带顶的宽度;如果掺杂后得到p型半导体的话,光学带隙指的就是费米能级到导带底的宽度!

明白了!巨谢!
沉静简单
3楼2015-09-22 22:26:18
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学海浪子

版主 (文坛精英)

盖世界浪子班头普天下少年领袖

优秀版主文献杰出贡献

掺杂后得到n型半导体的话,光学带隙指的是费米能级到价带顶的宽度;如果掺杂后得到p型半导体的话,光学带隙指的就是费米能级到导带底的宽度!
你喜欢海吗?我喜欢浪!
2楼2015-09-22 20:46:41
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