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yuncld

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by xwzhyz400108 at 2008-8-27 20:31:
很多文献可以查到焙烧温度对各种复合氧化物结构的影响. 应该是先在各种温度下焙烧 ,然后可以测试氧空位的量.,比如EDTA滴定.至于什么焙烧气氛下有利于氧空位的形成, 感觉在氮气气氛下是不是更有利啊,这个不确定,只 ...

EDTA能得到有关氧空位的信息?!有没文献,给个链接,谢谢啦!
选择简单,只关注生命中最重要的事。
11楼2008-08-27 21:51:21
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fzzjj

木虫 (正式写手)

★ ★
yuncld(金币+2,VIP+0):合理解释!有深度!
取代离子的价态和数量是氧空位产生的本质因素,只要你是在容限因子的范围之内就可以最大限度的产生氧空位了。温度和气氛只是一个外部条件而已。

另外,“温度太高肯定是不利的”,不知道楼主是从那里得出的结论?文献还是自己的心得?很明显的,如果在惰性气氛下煅烧且不破坏结构的情况下,温度越高是越有利于氧空位的生成的,但在有氧气氛下,则会有一个最高点--取决于该温度下的金属氧化速率和氧化物的脱氧速率,不同的物质温度是不一样的。可以用滴定法作直线求得,但一般是用碘滴定法(反滴定)。。。

愚见,若有不当,请楼下指正。。。
12楼2008-08-28 00:56:32
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yuncld

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by fzzjj at 2008-8-28 00:56:
取代离子的价态和数量是氧空位产生的本质因素,只要你是在容限因子的范围之内就可以最大限度的产生氧空位了。温度和气氛只是一个外部条件而已。

另外,“温度太高肯定是不利的”,不知道楼主是从那里得出的结论 ...

文献中提到随着温度升高,结晶度提高 ,氧空位减少(J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6620-6626)。
非常感谢兄台解释!
选择简单,只关注生命中最重要的事。
13楼2008-08-28 08:30:09
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tyronezhang

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
如果在惰性气氛下煅烧且不破坏结构的情况下,温度越高是越有利于氧空位的生成的,

这个怎么解释?难道在惰性气体氛围中,温度越高,氧化物越容易脱氧?
14楼2008-08-28 08:49:47
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在冬天遇见你

银虫 (正式写手)

★
nxl5096224(金币+1,VIP+0):3Q!
我做氧化锗氧空位在氢气气氛中可以产生大量氧空位。至于焙烧温度我是根据锗的熔点定的。
15楼2008-08-28 10:09:26
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kmlws

银虫 (正式写手)

还原氛围应该更有利于氧空位产生
16楼2008-08-28 11:23:13
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头头冰冰

金虫 (小有名气)

★
yuncld(金币+1,VIP+0):原理应该是对的吧,感觉 。。。。。
ZnO TiO2使n型半导体,惰性气氛升温,环境氧分压降低,有利于产生氧空穴,电导实验可以看出来,升到一定温度,空穴开始导电。
17楼2008-08-28 14:45:50
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fzzjj

木虫 (正式写手)

★
^_^@^_^(金币+1,VIP+0):多谢参与讨论!
引用回帖:
Originally posted by yuncld at 2008-8-28 08:30:

文献中提到随着温度升高,结晶度提高 ,氧空位减少(J. Phys. Chem. C 2008, 112, 6620-6626)。
非常感谢兄台解释!

看了这篇文献,但这不是正常的金属氧化物(复合物),这里有非贵金属S的掺杂,高温有氧煅烧S可能会流失。

这是一个特例,但不适应与楼主一般的结论“温度越高,氧空位越少”。。。呵呵
18楼2008-08-28 20:28:59
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yuncld

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by fzzjj at 2008-8-28 20:28:


看了这篇文献,但这不是正常的金属氧化物(复合物),这里有非贵金属S的掺杂,高温有氧煅烧S可能会流失。

这是一个特例,但不适应与楼主一般的结论“温度越高,氧空位越少”。。。呵呵

文献中有引用其它文献。。。。
选择简单,只关注生命中最重要的事。
19楼2008-08-28 22:30:56
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yuncld

木虫 (正式写手)

引用回帖:
Originally posted by kmlws at 2008-8-28 11:23:
还原氛围应该更有利于氧空位产生

我也觉得如此
选择简单,只关注生命中最重要的事。
20楼2008-08-28 22:31:32
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