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小范范1989

木虫 (著名写手)

[交流] 关于HOMO-LUMO能差与最低单重和三重激发态的能差的咨询(S1-T1能差) 已有3人参与

介绍一下我的问题背景和主要问题
1:我研究有机大分子,我计算了优化了基态分子的homo和lumo。同时优化s1,优化T1,找到了S1-T1的gap。
现在我想,通过往分子上添加吸电子或者供电子基团,来调控homo-lumo能差,最终调控S1-T1的gap。
不知道这种方式行得通不?
2:如果可以,我想咨询一下,一般来说homo-lumo的能差越大,分子越稳定吗?
3:这个homo-lumo的能差和S1-T1的gap有没有什么关系?比如说homo-lumo的gap减小,S1-T1的gap也跟着减小.....
4:谢谢指点。
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virtualzx

木虫 (著名写手)

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小范范1989: 金币+10, 谢谢指点 2015-09-02 14:11:46
无法想象S1-T1能量差和HOMO LUMO gap会有任何直接关系,但是通过取代基调控S-T gap应该是可行的。

假设S1和T1组态相同,都是双自由基,没有电子弛豫,也没有构型变化,那么能量差就是2K,其中K是这两个单电子轨道之间的交换积分。

你可以用一个简单的双电子双轨道体系来验证这一结论:单重态和三重态的能量分别是J+K和J-K。

所以基团调控实际上比HOMO-LUMO gap更要简单一些,只要降低这两个单电子轨道之间的重叠,S1-T1能量差就会变小。

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
10楼2015-09-02 11:47:25
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2004600215

银虫 (著名写手)

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
小范范1989: 金币+10 2015-09-01 11:22:05
Good question!
1.从文献来看,DA结构的 S1-T1的gap一般会小一些,所以通过往分子上添加吸电子或者供电子基团,来调控homo-lumo能差,最终调控S1-T1的gap 这个可以值得一试;
2.homo-lumo的能差越大,相应电子跃迁就难,稳定性是应该增加的;另一方面,homo-lumo的能差越大也意味着材料导电性会比较差,空穴或电子难注入吧;
3.homo-lumo的能差和S1-T1的gap的关系?这个不清楚了。

4.探究S1-T1的gap是和TADF相关吧?

材料合成方向,非理论研方向,以上仅为个人意见,仅供参考;

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2楼2015-09-01 10:52:48
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小范范1989

木虫 (著名写手)

送红花一朵
引用回帖:
2楼: Originally posted by 2004600215 at 2015-09-01 10:52:48
Good question!
1.从文献来看,DA结构的 S1-T1的gap一般会小一些,所以通过往分子上添加吸电子或者供电子基团,来调控homo-lumo能差,最终调控S1-T1的gap 这个可以值得一试;
2.homo-lumo的能差越大,相应电子跃迁 ...

谢谢你,谢谢你的指点。
我是理论计算TADF的,我很菜,接触快一年了,我看人家文献做的都很好,我理论上就是通过高斯算一通,最后看能差,所以还有很多东西需要学习,望以后多多交流。
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3楼2015-09-01 11:23:34
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小范范1989

木虫 (著名写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by 2004600215 at 2015-09-01 10:52:48
Good question!
1.从文献来看,DA结构的 S1-T1的gap一般会小一些,所以通过往分子上添加吸电子或者供电子基团,来调控homo-lumo能差,最终调控S1-T1的gap 这个可以值得一试;
2.homo-lumo的能差越大,相应电子跃迁 ...

你好,我还想再咨询你点问题,还麻烦你指教:
1:我想咨询一下host和guest的匹配的一些问题,如下图,哪种情况好?
是不是第二种?因为注入到host上的电子和空穴容易转移到guset上?因为能垒低?
2:这么说,形成的激子,主要是在host中?
如果是在host中,是不是需要从host传递到guest,这种S1-S1,或者是T1-S1.或者是T1-T1的能量传递,怎么样区分是forster还是dexter?
我看有的文献说,是在guset中形成,这种在哪里面形成是怎么判断的?
3:谢谢你的指点。
关于HOMO-LUMO能差与最低单重和三重激发态的能差的咨询(S1-T1能差)
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4楼2015-09-01 11:27:35
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