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[交流]
高阻化合物半导体材料，0V偏压，测暗电流，为负值？
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有没有搞高阻半导体材料与器件的大神，交流一个问题： 高阻化合物半导体，电阻率大概10的9-11次方欧姆厘米，用来做高灵敏的探测器。器件为最简单的MSM结构，均为欧姆接触。 一般器件会工作在一定的偏压下，但是偶然一次手贱，我想测测在0V偏压下，器件的电流特性，结果发现，测出的电流值在10的-12 次方A数量级，但都是负值！！有没有大神遇到这类情况，或怎么解释？ 我的猜想是：这个半导体呈现弱P型，也就是以空穴导电为主，在0V偏压下，材料从测量仪器中吸收电子，于是测出负值。因为正常 的电测仪器都是电子流向仪器内部，默认为正值。 PS：测试仪器为安捷伦SMU，器件放置在避光的金属箱中。 欢迎指教。  |
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