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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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wlldhyzhndxl

新虫 (初入文坛)

[交流] wire bonding的时候 金属pad厚度是多少才足够呢 已有4人参与

大家好!器件菜鸟诚心求问:
1. 我做wire bonding的时候, 用了8nm Cr/30 nm Au,但是发现引线键合不上去,而且pad很容易就被戳破了。想问问各位xdjm,金属pad的厚度应该做到多少才能保证没有问题呢(特别是cr和au的厚度到底哪个重要)?另外不知道键合得好不好,是不是与蒸镀时的纯度有关系呢?我一直怀疑是不是我们蒸镀的设备有问题,虽然蒸出来看起来还好。。
2. 另外就是我使用了280 nm的氧化硅做介电层,优点担心键合后损坏氧化层。如果我把pad弄得非常厚,比如几百个nm,会有帮助吗?
谢谢大家!祝大家天天开心!
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wlldhyzhndxl

新虫 (初入文坛)

啊啊~~谢谢楼上大神的耐心回复!太感动了~~~~所以你认为还是粘合的问题吧?其实挺奇怪的,因为我觉得8nm cr按理说也不算很薄了,但是还是很容易把pad弄破。。。不过我会再试试参数的,谢谢你哦~~~~~~
5楼2015-07-09 09:02:48
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wlldhyzhndxl

新虫 (初入文坛)

自己顶一下,有知道的筒子帮忙看看啊~~
2楼2015-07-08 22:33:40
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metaliium

银虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
尽量厚的,用50nm的。。。

另外有的时候你看到pads给bond破了,可能是和衬底粘合不好,整层撕了。这时必须去加强粘合,加厚pads意义不大。。。我知道有人bond的时候用的是35nm的pads,所以你的情况也不一定会特别困难,粘合强度的问题可能确实值得考虑一下。。。

另外参数调的不对,太强或太弱也都可能会弄破pads,如果粘合不是特别好的情况下。

Cr的粘合效果一般而言比较好,但也取决于衬底。它的厚度不太关键。但是在粘合不好的时候粘合层也可以用于吸收bond的力的作用,这种情况下Au和Cr总厚度越大越好,鉴于Cr便宜,增加它的厚度比较好,但Cr应力比较大,不适合搞的太厚(<100nm)。另外不同粘合金属表面硬度不同,显然软的容易bond。从这个角度来说Ti比Cr 硬,所以综合起来Cr还是比较好的。在不考虑磁性质的情况下,一般来说Cr是我比较喜欢的粘合层,Ti排第二。

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3楼2015-07-09 02:15:17
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metaliium

银虫 (正式写手)


小木虫: 金币+0.5, 给个红包,谢谢回帖
蒸镀质量以及金属纯度和你的问题关系应该不是很大,除非表面搞的非常不平。从你的描述中可以排除,而且30nm也不薄了,不大可能太差。。。

我刚没看到你的衬底是氧化硅,那样的话粘合应该没有问题。pads搞厚一点就可以了,如果还不行很可能是参数没调对。基本上没有更容易bond的了。。。= =

关于打穿氧化层的问题,取决于机子本身的状况,280nm的厚度是有可能打穿的,当然回头发现短路了就知道了很好排查。厚的pads会有所帮助,但不起决定性作用,尽量把force的参数调低吧。如果你们不是做二维材料非要300nm左右的氧化层不可,那就把衬底换成一两微米的吧。
4楼2015-07-09 02:24:07
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