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孤傲的王子主管区长
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TiO2薄膜的XPS中的C1s的标定和O1s分析 已有2人参与
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各位虫友好，本人用磁控溅射做了纯的TiO2薄膜，拿去测XPS后，得到的C1s峰不是像文献中284.6的单峰，而是如图1中的偏移且分裂为若干个峰，请问这种情况下该怎么标定C1s？ 我用最强的那个281.6的峰来标定，这样正确吗？ 我用281.6峰标定后，对O1s的数据整体进行向高结合能方向移动3eV处理后得到图3。图3中的O1s也由两个峰组成，529.96eV位置对应的是Ti-O键的峰，那么532.75eV峰是对应什么呢？有文献说是由于样品表面的污染物，比如OH、CO等，但是本图中532.75峰明显比文献中强很多，不太可能只是污染物造成。 所以，小弟我纠结了，求大侠解答，谢谢！！  3.jpg  1.jpg  2.jpg |
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孤傲的王子
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