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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » 如何在氧化硅基底上制备出硅纳米阵列结构？
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peiding76

铜虫 (正式写手)

[求助] 如何在氧化硅基底上制备出硅纳米阵列结构？ 已有2人参与

如题，基底是氧化硅，厚度在几微米左右就行，硅纳米阵列结构中硅纳米柱的尺寸在100-200nm之间。如果我选SOI硅片，或者氧化层硅片采用电子束或光刻技术有可能制造吗？我对制备不太懂，希望大家能指点一二，有文献推荐给我，更好了。
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1楼 2015-04-29 09:35:55
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peiding76

铜虫 (正式写手)
在氧化硅基底上能用溅射的方法沉积150纳米厚度的硅层吗？
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4楼2015-04-29 10:15:55
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reninhat

铁杆木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
peiding76: 金币+2 2015-04-29 10:01:03
电子束光刻或者FIB都可以
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2楼2015-04-29 09:50:20
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peiding76

铜虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by reninhat at 2015-04-29 09:50:20
电子束光刻或者FIB都可以

选氧化层硅片可以吗，但查了一下氧化层硅片有几百微米厚。我的这个氧化层基底加硅结构要放在LED芯片表面的。感觉先沉积二氧化硅层，然后再在上面制造硅结构，电子束光刻能做的出来吗？
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3楼2015-04-29 10:09:21
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blueflying2

新虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
peiding76: 金币+5 2015-06-25 09:04:36
溅射可以沉积150nm的Si,但应该是非晶硅了。这么小的尺寸，应该是EBL光刻的方法。但如果是大规模的阵列，也可采用纳米压印。
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5楼2015-05-28 14:20:36
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