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卡耐基如是说木虫 (小有名气)
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请教：在微纳米线表面 用 Stober 法包裹 SiO2，纳米线表面需要怎么处理吗 已有1人参与
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如题，做过几次实验，结果总是不理想，微纳米线表面要么没包裹上，要么包裹的非常不均匀。请教各位，是不是微纳米线表面需要处理呢？化学外行，还请支持！！  20150317092217.jpg  20150317092231.jpg  20150317092257.jpg |
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 二氧化硅 |
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7楼2015-03-19 08:28:44
【答案】应助回帖
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卡耐基如是说: 金币+4, ★★★很有帮助, 感谢 2015-03-17 19:04:55
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感觉你的线和SiO2的亲和力不够啊，这跟你的线的材料有关系，有的比较容易包覆SiO2,有的就不容易包上去。我之前也遇到过类似的情况，SiO2包覆在表面不均匀。如果样品允许，可以试试在低温下煅烧一下你的线，比如在300-400度的空气中烧一个小时左右，去掉一些线表面的官能团，看看会不会有好转。 还有就是你的SiO2前驱体的浓度是不是太低，因为它基本都没有完全覆盖上去。你试试增加SiO2的浓度呢？看看是不是依然是零散的SiO2颗粒分布在线的表面，也看产物中有没有SiO2球形成。 |
4楼2015-03-17 15:09:07
卡耐基如是说
木虫 (小有名气)
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5楼2015-03-17 19:08:24
卡耐基如是说
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6楼2015-03-18 13:51:55
