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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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huangcg2000

铜虫 (小有名气)

[交流] 【求助】Mott 临界密度与掺杂量和带隙有什么关系?

初涉半导体,请教一些问题,多谢赐教。
Mott 临界密度是如何定义的?Mott临界密度与半导体掺杂量和带隙之间有什么关系?

[ Last edited by zt970831 on 2008-6-17 at 23:41 ]
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ufoer

荣誉版主 (著名写手)

PNNL- new life


musi429(金币+1,VIP+0):多谢交流~~
这里有人也研究Mott相变啊,呵呵,最近在搞一些强关联的东西,所以对这个也比较关注,大家多交流啊
xxxxxxxxxxxxx
5楼2008-06-25 22:52:41
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lionchiba

金虫 (初入文坛)

★ ★
musi429(金币+2,VIP+0):多谢交流~~
个人认为Mott transition一般是指绝缘体到金属的转换点,从固体物理的角度讲,当一个固体的电子浓度的(-1/3)次方大于4倍的波尔半径的时候,固体就失去了金属性或者是导电性。对Mott临界密度也不了解,可能就是转换点的电子浓度值吧。对半导体来说,超过Mott临界密度意味着半导体表现为金属性,或者是degenerate,此时费米能级应该进入导带内。
2楼2008-06-18 18:23:19
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lm_nudt

铁杆木虫 (著名写手)

★ ★
musi429(金币+2,VIP+0):多谢交流~~
是个新话题,在这篇文章里提到了一点“ Mott 临界密度”的概念,不知会不会对楼主有帮助。
http://www.cnpaperadd.com/isoc-zl/shownews.asp?id=455
3楼2008-06-19 19:09:35
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huangcg2000

铜虫 (小有名气)

谢谢朋友们的帮助,我再好好研究一下,有心得再拿出来请大家指点。
4楼2008-06-20 22:59:10
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