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测了一个交流变频磁化率曲线，求高手帮忙看下，附了图，金币不多，非常感激！ 已有1人参与
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RT。 附上了M-T, M-H,ac实部虚部曲线图（ac曲线，外加交流磁场为3.5Oe,数据处理的时候套用公式M*Mr/3.5/m，m为样品质量，不知道数据处理的时候是否需要用上称量的时候的薄膜质量值？） 各位师兄师姐，我有一个交流磁化率曲线，但不会分析，拜托帮忙看下好吗？（化合物中有Co/V原子）。 主要有以下几个问题： 1）ac曲线数据处理公式是否正确？ 2）ac曲线实部，虚部有频率依赖性吗？ 3）M-T曲线低温区的行为是否认为是铁磁性or自旋倾斜？ 4）M-H曲线趋势能说明什么问题？ 5）还需要做什么磁性测试吗？ 金币不多，非常感激！  M T.png  M H.png  final ac zhengf.png  final ac fu.png |
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这位师兄你好，我想咨询下M-T曲线数据处理，测试时使用的是胶囊并且有薄膜，这两样都是抗磁性的，你们都不进行抗磁性数据处理吗？有这样的说法--封口膜和胶囊都是抗磁的（磁化强度为负值），仪器显示的磁信号M0是样品的真实信号M以及封口膜和胶囊的抗磁信号的加和，故而要对测出的数据进行校正以得到样品的信号，如下式所示： M = M0+1 .81E-8*H+6.47E-10*mf *H 样品的摩尔磁化率 χ = M / H * Mr / ms +χpascal χpascal = (0.4～0.5)E-6*Mr M0为仪器显示的磁信号，M为样品的真实信号，mf为薄膜的质量，ms为样品的质量，Mr为样品的摩尔质量，H为外加磁场值（Oe），请问是有这样的处理吗？谢谢 |
27楼2015-01-19 15:46:20
yeqingchen
木虫 (正式写手)
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【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
hjf_2011: 金币+40, ★★★★★最佳答案, 太谢谢你了，金币全给你了，非常感激！ 2015-01-14 22:52:54
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1）ac曲线数据处理公式是否正确？答：公式正确，从你的公式可以看出应该是在交流场3.5Oe下测试的。 2）ac曲线实部，虚部有频率依赖性吗？答：都可以认为有频率依赖性。主要看虚部频率依赖性，来确定单分子磁体行为。不过你虚部的数据看着跳点比较多，也不知道是不是仪器的原因。 3）M-T曲线低温区的行为是否认为是铁磁性or自旋倾斜？答；初步判断有铁磁作用，不过还得结合你的物质分子结构看。 4）M-H曲线趋势能说明什么问题？答；不知道你处理的数据对不对，不过这个曲线磁矩在70 kOe还未达到磁化饱和。 5）还需要做什么磁性测试吗？基本不需要测试了，如果可以，测试一下扫频磁化率。不过感觉没必要，花钱不少啊。 金币记得多给啊 |
2楼2015-01-14 20:57:49
3楼2015-01-14 22:59:04
4楼2015-01-14 23:01:08