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M-S-M型接触测量半导体纳米线I-V曲线,怎么求半导体电阻?
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M-S-M型接触测量半导体纳米线I-V曲线,怎么求半导体电阻?
如题,我测量了也只能够过渡金属氧化物纳米线的I-V曲线,两端电极用的是钨,际形成M-S-M型接触测量半导体纳米线I-V曲线,得到的是对称性的I-V曲线,也就是常说的S型。请问衡量半导体纳米线导电能力的参数是什么,怎样从I-V曲线中得出?
再者,请问怎么根据这个曲线求半导体电阻和能带宽度?我看在高电压区间,I-V曲线基本是线性了,可否直接根据斜率确定半导体的电阻?
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1楼
2015-01-14 13:09:35
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楼主好,请问问题解决了吗?半导体电阻是测试在高电压区间线性的I-V曲线斜率?
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相互学习,共同进步。
5楼
2019-10-06 15:06:59
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y13864816103
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专业: 电化学
如题,我测量了过渡金属氧化物纳单根米线的I-V曲线,两端电极用的是钨,即形成了M-S-M型接触测量半导体纳米线I-V曲线,得到的是对称性的I-V曲线,也就是常说的S型。请问衡量半导体纳米线导电能力的参数是什么,怎样从I-V曲线中得出?
再者,请问怎么根据这个曲线求半导体电阻和能带宽度?我看在高电压区间,I-V曲线基本是线性了,可否直接根据斜率确定半导体的电阻?
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2楼
2015-01-14 13:25:53
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caoxiafei
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我也是这么认为的,不过也要看一下电场强度的大小,是不是构成了雪崩击穿,如果不是,就可以认为直线的斜率就是半导体的电阻了。
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3楼
2015-01-14 22:12:33
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welljay
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4楼
2015-01-14 22:45:30
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