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fentuo1203新虫 (初入文坛)
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[交流]
MS吸附能计算的问题
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各位大神，本人用MS的CASTEP模块做吸附能计算，大概过程是： 1、根据FINDIT的数据构建的晶胞模型，没有做结构优化，因为优化后的参数跟实验值相差太大，所以没做优化 2、切面，选取的是（003）面，没有建立超晶胞，第一层和最低层原子是一样的。随后对该Slab进行了结构优化。计算了单点能。 3、计算了被吸附小分子的能量，直接建立分子结构优化后进行的单点能计算。 4、将优化后的小分子加到第二步优化后的Slab上，固定下面一半，上面一半弛豫。 定义吸附能=系统能量-之前单个的能量，根据这个计算得到的吸附能是正值，相当于该反应是吸热反应，这应该是不可能的。 备注：我计算的是NiCl2晶体表面的吸附。 请各位大神不吝赐教，本人感激不尽！ |
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fentuo1203
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嗯，我对照了一下，两种情况的结构是一样的，原子坐标也是一样的，只不过在用Discover或者是Morphology模块的时候有区别，就是添加力场计算的时候要把键删除。 请问一下版主，我用Morphology中的Growth Morphology进行晶形预测的时候怎么算的那个附着能都是正值，然后结果提示说出现不稳定面，无法进行晶形预测，让我检查晶格能说不能是负值，然后我一看，还确实是正值，不知道是什么原因。http://image.keyan.cc/data/bcs/2 ... _1421676415_819.jpg 还有用Equilibrium Morphology进行预测，但是结果让我比较疑惑，如下图。按道理晶面距离越大，生长速率越小，而暴露面积就越大，而结果却显示恰恰相反，不知什么原因。http://image.keyan.cc/data/bcs/2 ... _1421676437_189.jpg  晶格能.jpg  Equilibrium morphology.jpg |
23楼2015-01-19 22:07:34
DRP7
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2楼2015-01-11 23:44:24
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fentuo1203: 金币+10 2015-01-12 10:41:18
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fentuo1203: 金币+10 2015-01-12 10:41:18
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第一步存在问题，模拟计算一个很关键的问题就是：你如何证明，你选用的计算参数设置是合理的？如果不能解决这个问题，后续的吸附能计算结果的准确性也会受质疑。 一般说来，为了保证计算的可信，会采用做几何优化时的参数设置来做后续的计算。所以建议，几何优化这一步时调整计算参数（实际上这一块要做的工作很多，比如交换能相关函数、赝势、E-cutoff、k-points等参数的设置，这些都是CASTEP计算的最基础步骤），使得计算值和实验值相差<2%。 |
3楼2015-01-12 08:59:00
fentuo1203
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版主您好，非常感谢您的指点，我对这些参数的设置也进行了一些尝试，但是得到的结果都有一个倾向，就是能量值上下波动，没有规律，所以也不收敛，我想知道产生这样的现象有哪些特定的原因。感谢！下面是其中一个优化的能量变化图。http://image.keyan.cc/data/bcs/2 ... _1421038685_320.jpg  NiCl2 cell Energies.jpg |
4楼2015-01-12 12:58:27