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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 微米和纳米 » 微纳加工 » PR1-12000A光刻胶在Cu上显影不干净
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涓水狂浪

新虫 (初入文坛)

[求助] PR1-12000A光刻胶在Cu上显影不干净 已有2人参与

硅片上依次溅射Ti/Cu后，使用PR1-12000A光刻胶匀胶（参数：1000rpm-10s/2500rpm-40s），烘烤参数（120℃-180s），MA6光刻机接触式曝光280s/310s/340s/370s，显影240s-330s不等，均显影不干净。不过用同样的匀胶和烘烤参数直接在Si片上做，曝光220s/240s/260s/280s都可以显影干净，只是显影时间又差别。特别困惑，求高手不吝指教~~
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1楼 2014-12-30 22:40:02
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涓水狂浪

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
6楼: Originally posted by exciting73 at 2015-01-05 08:57:22
什么时间买的？我们这边就代理这种胶。
显影不干净指的是有一层残胶还是点状分布的残胶？有图吗？

胶是新买的，生产时间是14年3月份，应该不是胶的问题吧，在Si上可以显影干净，但在Cu上显影不干净
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8楼2015-01-05 10:17:47
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涓水狂浪

新虫 (初入文坛)
求高手指点啊。。。
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2楼2015-01-04 14:07:58
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zhouyang4059

铁虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
涓水狂浪: 金币+3 2015-01-06 09:51:36
据我分析应该是曝光量不足的原因：虽然一般认为显影时间和曝光时间可以互补，但是也要在一定的范围之内。两种材料在也有不同：Cr对可见光范围的反射比较厉害，而cu在可见光600-800nm波段内反射较厉害，400-600nm吸收比较严重。
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3楼2015-01-04 17:57:56
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涓水狂浪

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
3楼: Originally posted by zhouyang4059 at 2015-01-04 17:57:56
据我分析应该是曝光量不足的原因：虽然一般认为显影时间和曝光时间可以互补，但是也要在一定的范围之内。两种材料在也有不同：Cr对可见光范围的反射比较厉害，而cu在可见光600-800nm波段内反射较厉害，400-600nm吸收 ...

今天又做了一下实验，曝光剂量增加到500s仍然显影不干净，其实这个胶我们之前用同样的工艺做，曝光时间180s就可以显影干净，用光强计测量光刻机光强也未见显著衰减。
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4楼2015-01-04 18:57:44
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