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PR1-12000A光刻胶在Cu上显影不干净 已有2人参与
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硅片上依次溅射Ti/Cu后,使用PR1-12000A光刻胶匀胶(参数:1000rpm-10s/2500rpm-40s),烘烤参数(120℃-180s),MA6光刻机接触式曝光280s/310s/340s/370s,显影240s-330s不等,均显影不干净。不过用同样的匀胶和烘烤参数直接在Si片上做,曝光220s/240s/260s/280s都可以显影干净,只是显影时间又差别。特别困惑,求高手不吝指教~~![]() |
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exciting73
金虫 (著名写手)
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- 专业: 半导体材料
12楼2015-01-06 08:53:57
2楼2015-01-04 14:07:58
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