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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 网络生活区 » 有奖问答 » 实验讨论 » 缺陷对H2吸脱附的影响
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zhanhaijuan

金虫 (正式写手)

[求助] 缺陷对H2吸脱附的影响

金属氧化物材料的结构缺陷或者氧空位缺陷对其H2吸脱附性能有影响吗？是怎么样的影响呢？请各位大侠指点，最好能给出相关文献，谢谢大家！
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1楼 2014-11-04 10:29:18
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踏雪凌霜

铁杆木虫 (著名写手)

蓉城老妖

【答案】应助回帖

引用回帖:
3楼: Originally posted by zhanhaijuan at 2014-11-05 09:45:04
那这些缺陷能否导致材料才对CO2,H2，CO等分子在其表面的吸脱附性能有影响呢？就是说以质谱或色谱检测时，在TPD曲线上是不是会有变化呢？...

应该是有很大影响的，色谱这块我就不太懂了，我的实验很少涉及到这块
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还是个孩子何必把一切都看得那么透
4楼2014-11-05 09:58:33
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踏雪凌霜

铁杆木虫 (著名写手)

蓉城老妖

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
zhanhaijuan: 金币+5, 博学EPI+1, ★有帮助 2014-11-05 09:43:10
氧缺陷容易引起表面等离子体共振，导致材料在紫外、可见、近红外吸收的变化，有很多文献提到等离子体增强光热光催化、等离子体气体传感等等。很多金属氧化物、硫化物氧缺陷引起的亚化学计量结构属于等离子体半导体结构，这类材料如WO3-x、MoO3-x、CuO、CuS等可以搜到很多，应用很广泛。
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还是个孩子何必把一切都看得那么透
2楼2014-11-04 20:23:13
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zhanhaijuan

金虫 (正式写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by 踏雪凌霜 at 2014-11-04 20:23:13
氧缺陷容易引起表面等离子体共振，导致材料在紫外、可见、近红外吸收的变化，有很多文献提到等离子体增强光热光催化、等离子体气体传感等等。很多金属氧化物、硫化物氧缺陷引起的亚化学计量结构属于等离子体半导体结 ...

那这些缺陷能否导致材料才对CO2,H2，CO等分子在其表面的吸脱附性能有影响呢？就是说以质谱或色谱检测时，在TPD曲线上是不是会有变化呢？
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3楼2014-11-05 09:45:04
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