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合成半导体量子点(如CdSe/ZnS量子点)外面包裹一层二氧化硅
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ToneyLeo
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合成半导体量子点(如CdSe/ZnS量子点)外面包裹一层二氧化硅
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合成半导体量子点(如CdSe/ZnS量子点)外面包裹一层二氧化硅的目的是什么?如果不包裹会怎么样?包裹以后会不会避免金属离子干扰?
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科研啊~
1楼
2014-10-27 21:27:41
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ToneyLeo
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2楼
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Originally posted by
1号
at 2014-10-28 09:39:11
包裹二氧化硅大概有三个作用1.颗粒转水需要,即由油相分散转变为水相分散;2.增加颗粒稳定性及生物相容性;3.通过表面修饰后使颗粒更好的功能化,即具有可修饰性。
金属离子的干扰我理解的你想表达的是:包二氧化硅 ...
非常感谢,还有关于金属离子影响问题,在没有包裹二氧化硅外壳的时候,铜离子、铅离子等好像都可以猝灭CdSe/ZnS量子点荧光,这种猝灭的一般机理是什么呢?那么包裹以后是否可以避免这种猝灭?谢谢!
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科研啊~
3楼
2014-10-28 11:28:26
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很有帮助
2014-10-28 11:28:37
包裹二氧化硅大概有三个作用1.颗粒转水需要,即由油相分散转变为水相分散;2.增加颗粒稳定性及生物相容性;3.通过表面修饰后使颗粒更好的功能化,即具有可修饰性。
金属离子的干扰我理解的你想表达的是:包二氧化硅后金属离子对量子点荧光的影响。这个影响的大小和你包二氧化硅的厚度有关系,但总的来说荧光在一定程度上都会降低一些
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2楼
2014-10-28 09:39:11
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3楼
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Originally posted by
ToneyLeo
at 2014-10-28 11:28:26
非常感谢,还有关于金属离子影响问题,在没有包裹二氧化硅外壳的时候,铜离子、铅离子等好像都可以猝灭CdSe/ZnS量子点荧光,这种猝灭的一般机理是什么呢?那么包裹以后是否可以避免这种猝灭?谢谢!...
量子点猝灭机理一般可以分为两种吧,1.电子转移;2.能量转移。铅离子和铜离子对量子点的猝灭应该属于电荷转移,具体的解释可以参考相关文献,检测铅离子和铜离子的应该有很多。包裹以后,理论上会增强量子点的稳定性,但是影响因素很多,要看你的实验啊
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为灌水而生
4楼
2014-10-30 13:16:00
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4楼
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at 2014-10-30 13:16:00
量子点猝灭机理一般可以分为两种吧,1.电子转移;2.能量转移。铅离子和铜离子对量子点的猝灭应该属于电荷转移,具体的解释可以参考相关文献,检测铅离子和铜离子的应该有很多。包裹以后,理论上会增强量子点的稳定 ...
好的,非常感谢,请问您是做量子点方面的吗?
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科研啊~
5楼
2014-10-30 20:58:04
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