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于峰少年

金虫 (著名写手)

[求助] 关于文献上的一点疑惑,望大侠们指点指点。50金币 已有3人参与

各位大侠们,小弟在看文献的时候看到NiO@CNT之后的循环伏安图中的氧化还原的峰位置比单纯的NiO 要更靠近两端,这是为什么啊,有没有人能帮忙解释,散50金币。
望大侠们解释详细一点啊,给我们小白们多张点见识。

关于文献上的一点疑惑,望大侠们指点指点。50金币
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偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
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于峰少年

金虫 (著名写手)

没有人回啊,自己顶个
偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
2楼2014-10-25 11:20:42
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MBI-Al

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
是不是导电性增强啊
3楼2014-10-25 18:42:53
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于峰少年

金虫 (著名写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by MBI-Al at 2014-10-25 18:42:53
是不是导电性增强啊

导电性增强为什么峰位置就向两极移动呢 不应该是靠拢吗
偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
4楼2014-10-25 20:23:39
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MBI-Al

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

引用回帖:
4楼: Originally posted by 于峰少年 at 2014-10-25 20:23:39
导电性增强为什么峰位置就向两极移动呢 不应该是靠拢吗...

会不会是0.17V那里多了一个峰。而光看0.25V之后的,CNT后,明显峰变的起始电位提前了
5楼2014-10-25 20:58:23
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于峰少年

金虫 (著名写手)

引用回帖:
5楼: Originally posted by MBI-Al at 2014-10-25 20:58:23
会不会是0.17V那里多了一个峰。而光看0.25V之后的,CNT后,明显峰变的起始电位提前了...

根据氧化镍的电极反应机理,他应该只有一个峰的。
偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
6楼2014-10-25 23:52:34
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胡琪

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
一般情况下加入纳米材料氧化峰正移还原峰负移,这样加入纳米材料降低了所需的氧化还原电位需要的能量,有时候纳米材料也有氧化还原峰的,碳纳米管在0V左右的有氧化还原峰,你可以查阅相关文献
天地任我行
7楼2014-10-26 10:06:03
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于峰少年

金虫 (著名写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by 胡琪 at 2014-10-26 10:06:03
一般情况下加入纳米材料氧化峰正移还原峰负移,这样加入纳米材料降低了所需的氧化还原电位需要的能量,有时候纳米材料也有氧化还原峰的,碳纳米管在0V左右的有氧化还原峰,你可以查阅相关文献

谢谢大侠,很详细,请问大侠有没有相关的文献提供呢,拜托了
偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
8楼2014-10-26 15:56:13
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zfp1001

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
这是做超级电容器的吧?这幅图的意思就是要说明CNT在负载了NiO之后,电容有了很大的提升,但是对于复合材料中NiO的含量和纯NiO的量的多少没有具体的说明,即使在加入CNT后导电性有所提升,但是在循环伏安的图中依然不会表现出来,我觉得同一种材料的不同扫速得到的循环伏安图才有可比性----鄙人拙见
激情忍耐镇定坚持
9楼2014-10-27 14:49:17
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于峰少年

金虫 (著名写手)

引用回帖:
9楼: Originally posted by zfp1001 at 2014-10-27 14:49:17
这是做超级电容器的吧?这幅图的意思就是要说明CNT在负载了NiO之后,电容有了很大的提升,但是对于复合材料中NiO的含量和纯NiO的量的多少没有具体的说明,即使在加入CNT后导电性有所提升,但是在循环伏安的图中依然 ...

因为他的纵坐标是电流密度,不是电流,所以这是可以的,同一种材料的不同扫速下得到的循环伏安,只能看得出一种材料的性能,却对比不出来的,
偷一个人的主意是剽窃,偷很多人的主意是研究。
10楼2014-10-27 15:09:33
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