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激光干涉光刻应该选取什么样的光刻胶
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ponieer
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激光干涉光刻应该选取什么样的光刻胶
已有2人参与
光源是325nm的He-Cd激光器,功率是50mw。
希望涂胶厚度范围可以控制在100nm-1000nm之间。所刻的光栅周期在300纳米到1微米之间。显影的深度最好能比较方便控制。
可能会用到lift-off工艺来制作金属光栅。
大家给推荐下啊
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2014-09-19 11:02:56
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很有帮助
2014-09-19 19:23:04
dgf2008: 屏蔽内容, 过期内容!
2017-07-25 23:37:59
本帖内容被屏蔽
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2014-09-19 12:36:11
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yswyx
at 2014-09-19 12:36:11
325nm的光源,距离365nm的i线较近,可以选择i线胶做。
对于你想要的厚度范围,推荐用Ultra i 系列的光刻胶,基本上是i线领域分辨率最高的光刻胶了。
如果用负胶的话,SU8中的1030可以考虑,只是去胶麻烦。
如果是 ...
那综合我的要求,到底哪种比较好啊
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2014-09-19 19:25:18
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4楼
:
Originally posted by
ponieer
at 2014-09-19 19:25:18
那综合我的要求,到底哪种比较好啊...
可以选择ma-P1205或ma-N1405,如果有lift-off工艺建议ma-N1405。如有需要请站内联系。
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6楼
2014-09-20 14:57:04
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专业: 凝聚态物性 II :电子结构
求教,老板要我搭一个激光干涉平台,我刚接触一头雾水。能不能传授点经验,激光器选择(脉冲or连续),激光能量,相干长度要求等方面,多谢!
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8楼
2015-06-16 10:08:30
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