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影子.yao

新虫 (初入文坛)

[求助] 关于IR降是怎么产生的,跟离子扩散受阻有关系吗 已有6人参与

求助各位大侠,小女子有事相求,电压降产生是因为离子扩散受阻吗?还是这是没有关系的,是由于内阻所致?因为审稿人让我给出证据,我说“at high current densities, the potential drop is visible due the limitation of ionic diffusion." 审稿人问:What is the evidence?
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平行线的未来
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影子.yao

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
14楼: Originally posted by lfang at 2014-09-17 23:40:21
审稿人就是问你怎么知道压降是由于传质阻力造成的,你怎么推论的和他讲一下就好。我也觉得你说的不对,不知道你是怎么知道进入传质区了。

对,我觉得我现在写错了,应该他们的共同结果是造成了比电容下降,我把两个其实平行的原因,变成了因果关系,我需要重新写。那我还要给他看我的电压降吗?还是直接说我写错了,修改成什么什么....
平行线的未来
15楼2014-09-18 17:08:24
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starsky999

金虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
去测一个EIS分析一下 给他个证据吧
2楼2014-09-15 07:43:55
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binbinitaly

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
同意楼上,如果是三电极体系的话,IR降主要是由于参比电极到试样表面之间的溶液电阻产生的,一般可以用阻抗来初步判断IR降的大小,即Nyquist图上曲线与实轴的交点对应的值
既然选择了远方,便只顾风雨兼程!时间是检验一切的唯一标准!
3楼2014-09-15 10:41:42
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MBI-Al

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

感谢参与,应助指数 +1
升温 做个的电池 看IR区的变化
4楼2014-09-15 14:37:44
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