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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » 热点前沿问题讨论 » vasp计算，氧化物表面的氧空位形成能
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
10楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-03 00:19:33
按此说法，这个氧化物slab应该是非极化的？
另一个方法是覆盖整层金属后制造氧空位看看结果如何。...

覆盖整层金属？我也做过层覆盖的结构，是单层的，然后去把氧化物表面上与金属成键的氧以及次近邻的氧，拿走，算氧空位形成能，这个的 是大 0.1-0.2eV 左右的
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11楼2014-09-03 08:47:00
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
11楼: Originally posted by 邪美公子88 at 2014-09-03 08:47:00
覆盖整层金属？我也做过层覆盖的结构，是单层的，然后去把氧化物表面上与金属成键的氧以及次近邻的氧，拿走，算氧空位形成能，这个的 是大 0.1-0.2eV 左右的...

层覆盖是排除结构因素用的，如果层覆盖还是变大，只能说在这个计算方法下这个体系就是变大。
基底是什么氧化物？
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12楼2014-09-03 18:50:32
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
12楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-03 18:50:32
层覆盖是排除结构因素用的，如果层覆盖还是变大，只能说在这个计算方法下这个体系就是变大。
基底是什么氧化物？...

CeO2 还有 “层覆盖是排除结构因素用” ， 这是什么意思？
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13楼2014-09-03 19:19:45
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
13楼: Originally posted by 邪美公子88 at 2014-09-03 19:19:45
CeO2 还有 “层覆盖是排除结构因素用” ， 这是什么意思？...

这个模型的结构是确定的，因此优化比较可靠。
有没有尝试过+U的方法？
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14楼2014-09-03 20:29:52
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
14楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-03 20:29:52
这个模型的结构是确定的，因此优化比较可靠。
有没有尝试过+U的方法？...

用了加U的方法 U=5  GGA PBE
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15楼2014-09-03 20:35:35
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KalaShayminS

铁杆木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
15楼: Originally posted by 邪美公子88 at 2014-09-03 20:35:35
用了加U的方法 U=5  GGA PBE...

Ni和Ce的U各是多少？
这两个原子都有U的问题。
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16楼2014-09-03 22:51:55
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邪美公子88

木虫 (初入文坛)
引用回帖:
16楼: Originally posted by KalaShayminS at 2014-09-03 22:51:55
Ni和Ce的U各是多少？
这两个原子都有U的问题。...

Ni 没有用加U的方法 因为Ni cluster 我用的是纯金属 不是金属氧化物，而Ce的U=5
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17楼2014-09-04 07:56:47
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09131305

新虫 (初入文坛)
请问你计算时设置了自旋极化么？
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18楼2015-03-18 09:35:27
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imagehan

木虫 (正式写手)

【答案】应助回帖

对你说的这个VASP计算不是很是很了解，想请教一下这个软件是否可以用来计算金属氧化物掺杂之后，表面氧空位，价态等等？
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19楼2015-07-10 20:11:18
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