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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 半导体 » 审稿专家提了一个问题，弄半天也没有搞得太明白，求助各位老师和同学啦，谢谢
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aibude163

禁虫 (正式写手)
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11楼2014-09-02 14:02:58
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tsglss

铁杆木虫 (著名写手)
引用回帖:
11楼: Originally posted by aibude163 at 2014-09-02 14:02:58
嗯，这点是需要说明下，就是怕他不是说的理论上面的问题，主要是嘛，他提的问题我真心没看明白他到底想表达什么意思...

如果楼主投稿成功了，请你告诉我,此问题你是怎么解决的？因为我也想投jpcc，好吗？谢谢
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做好自己
12楼2014-09-02 14:37:16
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aibude163

禁虫 (正式写手)
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13楼2014-09-02 14:43:50
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yjw032900

铁虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by aibude163 at 2014-09-02 10:05:53
我就是在怀疑他的larger，我个人认为是当半导体材料处于高载流子浓度的时候可能发生ＢＭ效应，这种情况下是可能比真实的禁带宽度大的，但我的研究体系中并不是这个样子。郁闷中...

好高深啊，完全听不懂，看来我注定是个门外汉，你还能和我交朋友吗？
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14楼2014-09-03 00:07:14
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freyalovers

银虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
aibude163: 金币+10, ★★★★★最佳答案 2014-09-12 16:22:10
对于一种特定的材料，从理论上讲，带隙肯定是唯一的，但是当你测量的时候，问题就来了，不同的方法得到的带隙是不一样大的。测量带隙有好多种通用的办法，一种是光学方法，如吸收光谱（包括椭偏等，最终原理都是一样的），还有一种是电学的方法。光学的方法测量的叫做optical band gap, 电学的方法测量的才是真正的electronic band gap. 由于光学法测量时，当光子能量大于禁带宽度以后，激发的电子可能会经过弛豫等多个过程，确定的禁带宽度一般都比真正的带隙要大一些。我想你在做氧化锌的时候用的是光学法测量禁带宽度，但是在写文章中写的是 band gap或者electronic band gap。审稿人比较严谨，需要你更正，那你就更正吧。
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15楼2014-09-12 10:45:46
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aibude163

禁虫 (正式写手)
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16楼2014-09-12 16:22:37
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