8楼: Originally posted by xhzha at 2014-08-14 22:16:56
热能和电子带隙根本不在一个数量级啊， 靠热能激发？...

10楼: Originally posted by universpider at 2014-08-14 23:38:37
温度过高，半导体电子容易跃迁到高能态形成自由电子导电，而半导体工作时需要的空穴复合就会减少，从而影响半导体的效能。而如果半导体的禁带宽度大，在高温下电子向高能级跃迁就比较难。不知道我这样理解对不对。
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7楼: Originally posted by hufu08 at 2014-08-14 16:28:27
如果禁带宽度小，温度升高就容易把价带电子激发到导带，半导体的载流子浓度就会增大，电流增大

12楼: Originally posted by wmy8802217 at 2014-08-15 09:45:10
如果跃迁到高能态成自由电子。。半导体不就成导体了.....

10楼: Originally posted by universpider at 2014-08-14 23:38:37
温度过高，半导体电子容易跃迁到高能态形成自由电子导电，而半导体工作时需要的空穴复合就会减少，从而影响半导体的效能。而如果半导体的禁带宽度大，在高温下电子向高能级跃迁就比较难。不知道我这样理解对不对。
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