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请教TOF-SIMS的问题
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kevin123581
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请教TOF-SIMS的问题
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做薄膜的深度成分比分析,试了eds,但是图形一直移动不准确,所以尝试了用tof-sims,但是对于测试结果不是很清楚,所以在此处请教下。
对于纵坐标的intensity代表的什么, 可以转化成成分比么,比如不同元素的原子比什么的。
横坐标是时间, 可以转化为厚度,但是,剥离速率是一定的嘛? 还是说对于不同的材料成分速率是不同的?
谢谢大家
tof-sims测试结果(Functional graded DLC+silicon substrate).png
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2014-08-12 15:18:57
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11楼
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Originally posted by
kevin123581
at 2014-08-14 12:21:17
sem +eds的我做过,但是图像有偏移,结果很不准确,所以才开始用的sims。 谢谢了...
嗯,偏移是有可能的,需要加大束流和电压,短时间采谱,不过确实SIMS也不是为了定量设计的,有WDS可以试试,可以定量
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14楼
2014-08-14 13:40:32
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kevin123581: 金币+10
2014-08-13 13:43:08
Intensity就是计数的意思,检测器收到的离子数目,通常SIMS无法给出定量分析,除非有非常可比的标样校准,否则半定量还是推荐用xps做,剥离厚度和你的材料当然有关,如果需要精确的话也需要标定,剥离比较长时间以后用电镜或者其他手段测厚度变化再转化成速率,一般仪器给出的标准值都是对SiO2的剥离速度的
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2楼
2014-08-12 16:32:23
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2楼
:
Originally posted by
gxytju2008
at 2014-08-12 16:32:23
Intensity就是计数的意思,检测器收到的离子数目,通常SIMS无法给出定量分析,除非有非常可比的标样校准,否则半定量还是推荐用xps做,剥离厚度和你的材料当然有关,如果需要精确的话也需要标定,剥离比较长时间以后 ...
上面的红线200秒左右去之前都是纯碳,那我可以吧最大值取出来,做比值而得到碳的半分比么。 剥离速度我知道有区别,只是不晓得区别大小,比如在很小范围内的话是不是可以当做常数来简化问题。
我薄膜600多nm, xps貌似太难了
谢谢
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2014-08-12 16:56:46
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3楼
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kevin123581
at 2014-08-12 16:56:46
上面的红线200秒左右去之前都是纯碳,那我可以吧最大值取出来,做比值而得到碳的半分比么。 剥离速度我知道有区别,只是不晓得区别大小,比如在很小范围内的话是不是可以当做常数来简化问题。
我薄膜600多nm, ...
基本不太可以,这个只是一个离子峰的大小,不代表全部碳元素的峰的,可能会和其他元素一起出来,区别大小很难说了,有机无机,什么元素什么物质,各种都有关系,xps和多厚没啥关系啊,SIMS也是一层层取的嗯
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4楼
2014-08-12 18:43:17
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