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分享ZnO近两年研究的热点文献
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2006－2007年内ZnO的热点文献：研究领域涉及发光二极管LED，铁磁，压电特性等等。。 ZnO纳米线 1. ZhongLin Wang and Jinhui Song，Piezoelectric Nanogenerators Based on ZincO xide Nanowire Arrays，Science，14APRIL 2006VOL312 此文大名鼎鼎的王中林的纳米发电机的开创性文献，主要讲述ZnO纳米线的压电特性特性及其相关机理。媒体关于这个的报道也是铺天盖地。其最新成果为2008的Nature纳米纤维薄，机理于此类似，不再继续给出。目前该文引用次数已经达到130次。 2.C. Q. Chen, Y. Shi, Y. S. Zhang，Size Dependence of Young's Modulus in ZnO Nanowires，Phys. Rev. Lett. 96, 075505 (2006) 这也是国内的杰出作品，来自清华。主要研究了不同长度的ZnO纳米线的杨氏模量。被引用48次，是很杰出的工作了。 3.C.Soci,A.Zhang, B.Xiang,ZnO Nanowire UV Photodetectors with High Internal Gain ；nano Letters,2007 是关于ZnO纳米线最外光电探测器的，类似的工作还有Appl. Phys. Lett. 88, 133114 (2006);。为ZnO的应用提供了另一种思路。引用15次。 铁磁半导体 4.P. Sati, R. Hayn,R. Kuzia et al，Magnetic Anisotropy of Co2+ as Signature of Intrinsic Ferromagnetism in ZnO:Co，Phys. Rev. Lett. 96, 017203 (2006) ZnO的铁磁性又是当前研究热点之一，本文研究了Co掺杂的ZnO的铁磁特性，及其本征的机理。本文次数了32次。 5.Kevin R. Kittilstved, Dana A. Schwartz,Allan C. Tuan,Giant magnetic moment in an anomalous ferromagnetic insulator: Co-doped ZnO；Phys. Rev. Lett. 97, 037203 (2006) 几乎是在同时，另一卷的PRL也报道了类似与文献4的结果，同样是关于Co掺杂ZnO的铁磁特性，同样是在室温下观测到了ZnO的铁磁特性，正所谓英雄所见略同啊。该文目前引用次数为24次。 ZnO基的LED 6. Y. R. Ryu, J. A. Lubguban, and T. S. Lee et.al. Next generation of oxide photonic devices: ZnO-based ultraviolet light emitting diodes，Appl. Phys. Lett. 90, 131115 (2007); 本文是ZnO的紫外LED，使用了As和Ga掺杂的方法分别制作了P型和N型结，器件的电致发光（EL）只要集中在360，380nm以及550nm的缺陷峰。目前，本文的应用次数为38次。 7.W. Liu, S. L. Gu, J. D. Ye, Blue-yellow ZnO homostructural light-emitting diode realized by metalorganic chemical vapor deposition technique；Appl. Phys. Lett. 88, 092101 (2006); 这事令人振奋的paper，因为这是中国人的作品，南大物理系不经意也涉足l ZnO,呵呵，该文使用N做为掺杂源，用CVD的方法制备出了可见的LED。难得啊，看见此文的作者别忘了上来顶帖啊，呵呵。该文目前被引用26次，应该很快能破百。 8.Y. J. Zeng, Z. Z. Ye, W. Z. Xu, Dopant source choice for formation of p-type ZnO: Li acceptor；Appl. Phys. Lett. 88, 062107 (2006 这是浙大的ZnO，很出名了，相信大家应该不陌生吧？很多人不太相信Li掺杂能制备出ZnO，而且很多理论计算也不支持使用Li来实现受主掺杂。不过，浙大硬是给做出来了，呵呵，佩服佩服。30次引用次数飙升是最好的说服力啊。 9.W. Z. Xu, Z. Z. Ye, Y. J. Zeng,ZnO light-emitting diode grown by plasma-assisted metal organic chemical vapor deposition，Appl. Phys. Lett. 88, 173506 (2006); 这还是浙大的ZnO，是用MOCVD制备出的N掺杂的ZnO基的高效LED。引用是32次。还有多啊，近期又看见Appl. Phys. Lett. 91, 113503 (2007);。使用的是N-Al共掺，他们的类似工作太多了，不一一细述了。 10。S. J. Jiao et al，ZnO p-n junction light-emitting diodes fabricated on sapphire substrates；Appl. Phys. Lett. 88, 031911 (2006); 这长春光机所的ZnO的LED，使用的掺杂源是N，基地是Al2O3。引用次数39，还是很有说服力。 Partial PDF available http://www.pet2008.cn/thread-67300-1-1.html [ Last edited by zt970831 on 2008-4-16 at 23:50 ] |
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