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北京石油化工学院2026年研究生招生接收调剂公告
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beryl9112

铜虫 (初入文坛)

[求助] [请教]对Si进行掺杂作为栅极,采用N型掺杂还是P型掺杂? 已有1人参与

本人要制造场效应晶体管,掺杂Si做栅极,SiO2做栅极介电层。
选购Si/SiO2基板时,是选用N型掺杂还是P型掺杂,这个有讲究吗?
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wangsheng7

金虫 (小有名气)

引用回帖:
5楼: Originally posted by beryl9112 at 2014-08-05 08:59:25
因为自己在这方面是个小白,近期正在恶补这些知识,感谢专家指导方向...

搞懂了吗?
我也想知道,尤其是n型半导体的,用p还是n掺杂栅极,对电导率有要求吗
6楼2015-03-09 09:39:00
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
beryl9112: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-08-05 09:00:07
参见《晶体管原理》
NMOS,PMOS,增强型,耗尽型。
请自己选择。
2楼2014-07-31 13:49:19
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beryl9112

铜虫 (初入文坛)

引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-07-31 13:49:19
参见《晶体管原理》
NMOS,PMOS,增强型,耗尽型。
请自己选择。

我看了下MOS管是金属-氧化物-半导体结构,栅极采用金属材料,跟我的整体结构有所不同。
我是采用底删结构,采用高度掺杂的Si做栅极,在Si/SiO2基板上沉积金属作为源、漏极。
请教大神,这种情况下,对Si进行掺杂时P型和N型掺杂有啥讲究吗?
3楼2014-07-31 14:43:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)


引用回帖:
3楼: Originally posted by beryl9112 at 2014-07-31 14:43:39
我看了下MOS管是金属-氧化物-半导体结构,栅极采用金属材料,跟我的整体结构有所不同。
我是采用底删结构,采用高度掺杂的Si做栅极,在Si/SiO2基板上沉积金属作为源、漏极。
请教大神,这种情况下,对Si进行掺杂 ...

有啊,和MOS管一样啊,你的沟道是什么材料,和栅极材料对应会有一个功函数差嘛。
4楼2014-07-31 16:05:30
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