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beryl9112

铜虫 (初入文坛)

[求助] [请教]对Si进行掺杂作为栅极，采用N型掺杂还是P型掺杂？ 已有1人参与

本人要制造场效应晶体管，掺杂Si做栅极，SiO2做栅极介电层。
选购Si/SiO2基板时，是选用N型掺杂还是P型掺杂，这个有讲究吗？
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1楼 2014-07-31 11:14:43
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wangsheng7

金虫 (小有名气)
引用回帖:
5楼: Originally posted by beryl9112 at 2014-08-05 08:59:25
因为自己在这方面是个小白，近期正在恶补这些知识，感谢专家指导方向...

搞懂了吗？
我也想知道，尤其是n型半导体的，用p还是n掺杂栅极，对电导率有要求吗
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6楼2015-03-09 09:39:00
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yswyx

专家顾问 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与，应助指数 +1
beryl9112: 金币+10, ★★★很有帮助 2014-08-05 09:00:07
参见《晶体管原理》
NMOS，PMOS，增强型，耗尽型。
请自己选择。
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2楼2014-07-31 13:49:19
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beryl9112

铜虫 (初入文坛)
引用回帖:
2楼: Originally posted by yswyx at 2014-07-31 13:49:19
参见《晶体管原理》
NMOS，PMOS，增强型，耗尽型。
请自己选择。

我看了下MOS管是金属-氧化物-半导体结构，栅极采用金属材料，跟我的整体结构有所不同。
我是采用底删结构，采用高度掺杂的Si做栅极，在Si/SiO2基板上沉积金属作为源、漏极。
请教大神，这种情况下，对Si进行掺杂时P型和N型掺杂有啥讲究吗？
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3楼2014-07-31 14:43:39
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yswyx

专家顾问 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by beryl9112 at 2014-07-31 14:43:39
我看了下MOS管是金属-氧化物-半导体结构，栅极采用金属材料，跟我的整体结构有所不同。
我是采用底删结构，采用高度掺杂的Si做栅极，在Si/SiO2基板上沉积金属作为源、漏极。
请教大神，这种情况下，对Si进行掺杂 ...

有啊，和MOS管一样啊，你的沟道是什么材料，和栅极材料对应会有一个功函数差嘛。
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4楼2014-07-31 16:05:30
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