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fanying7155

金虫 (初入文坛)

[求助] CIGS薄膜电池硒化后做成器件,测试J-V暗态曲线几乎为直线,有时却为漏电流极大的特征。

CIGS薄膜电池硒化后做成标准器件,包括CdS层,本征ZnO层与AZO层加铝栅格。可是选不同的点测试,有的测试J-V暗态曲线几乎为直线,直观判断是短路了,用2400万用表模式测试电阻只有数十欧姆;有的点测试J-V曲线暗态反向电压出漏电流,用2400万用表模式测试电阻只有数百甚至上千欧姆。所有点在光照之下,电流都有微弱增加,且有微弱的开路电压。测试得J-V数据如下图。出现这样的情况有哪些可能的原因呢?希望有高手可以赐教。

CIGS薄膜电池硒化后做成器件,测试J-V暗态曲线几乎为直线,有时却为漏电流极大的特征。
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CIGS薄膜电池硒化后做成器件,测试J-V暗态曲线几乎为直线,有时却为漏电流极大的特征。-1
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