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半导体掺杂费米能级不移动，求高手指点 已有1人参与
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各位虫友，最近做半导体的掺杂遇到这样的问题，求知道的不知道的都回个话，大家给点意见，小女子感激不尽 我做的是往In的化合物里面掺杂其他的阳离子来替代In的位置，第一次是用同主族的Tl来替代In，计算后发现费米能级没有移动，用origin算了载流子浓度也没有变化，我考虑可能是因为同一主族，最外层电子排布一样的原因；第二次我用Ag替代In原子，我理解的是理论上来说Ag最外层只有一个电子，但是In最外层有三个电子，那是不是可以提高空穴的浓度呢，但是计算结果发现：费米能级还是没有动，在价带顶的位置，未掺杂和掺杂后的居然重合了…………这样我就不知道该怎么分析了……  本来预期的结果应该是费米能级往价带里面移动（我建的胞不大，掺杂一个浓度也达到了10的18次，应该出现简并的），然后就可以分析空穴浓度变化的……  求助.jpg |
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hw45888792
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