24小时热门版块排行榜

>论坛更新日志 (1205)
>导师招生 (733)
>虫友互识 (320)
>休闲灌水 (303)
>招聘信息布告栏 (123)
>博后之家 (67)
>论文投稿 (42)
>教师之家 (30)
>硕博家园 (30)
>考研 (23)
>公派出国 (15)
>学术会议 (14)
>考博 (13)
>生物科学 (10)
>基金申请 (9)
>分子生物 (5)

返回列表

lfaitaoyao

金虫 (著名写手)

应助: 131 (高中生)
金币: 4753.1
散金: 558
红花: 21
帖子: 1977
在线: 212.1小时
虫号: 2735390
注册: 2013-10-18
专业: 人工晶体

[交流] 中科大Bi2Se3二维层状拓扑绝缘体材料的螺旋生长取得新进展

类石墨烯层状结构的Bi2Se3因其简单的能带结构、远大于室温的能量涨落体带隙，被认为是最有前景的拓扑绝缘体材料之一。拓扑绝缘体是一种近几年被发现的新型量子物质态，在能量无耗传输、自旋电子学以及量子计算机等方面有着很大的应用前景。拓扑绝缘体除了奇异的不受缺陷和非磁性杂质散射的拓扑表面态外，若在其中引入一个螺旋位错的线缺陷，还可能会产生一对拓扑保护的一维螺旋态，从而创造一条完美的导电通道。曾杰教授课题组基于特色的可控制备手段，从晶体生长的动力学理论出发，通过将反应体系维持在极低的过饱和条件下，使Bi2Se3在成核过程中产生螺旋位错的缺陷，从而诱导层状材料进行双向的螺旋生长，打破Bi2Se3本征的晶体生长模式。此外，研究人员还通过对螺旋生长速度的控制，合成出不同发展程度的螺旋结构，从中阐明了二维层状材料的螺旋生长机理。这项研究为实现一维拓扑螺旋态提供了材料基础，有助于促进Bi2Se3在拓扑绝缘体、热电以及催化等方面的新发展。此外，探索螺旋生长的方式对于合成其他二维层状材料的螺旋结构，从而调制材料的物理性能也有重要的指导意义。

回复此楼