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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 专业学科区 » 物理 » 原子、分子&光学 » 硅材料 或者SOI片表面硅 在氮气环境下高温退货 表面形貌会有所改变吗
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shuitong110

银虫 (小有名气)

[求助] 硅材料 或者SOI片表面硅 在氮气环境下高温退货 表面形貌会有所改变吗 已有1人参与

基于SOI的光学器件 由于刻蚀等过程 侧壁粗糙度较大 现在想利用氮气高温退火进行粗糙度的降低 不知道有没有对这个有了解  在氮气环境下高温退火  硅表面形貌会有所改变吗
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1楼 2014-05-15 21:48:09
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12012001346

铜虫 (小有名气)
我做过对SOI材料进行离子注入，然后在100-1100度下氮气氛围退火，用AFM测的，注入前和注入后的SRM都是0.85 nm左右，但是退火后SRM却增加到2.3 nm左右。如果需要可以联系我，我给你看AFM图
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熬人生。。。。。
10楼2014-07-15 20:50:34
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★
shuitong110: 金币+3 2014-07-08 08:40:45
个人认为：退火一般是处理应力，对外在微观形貌（粗糙度）难有改观。如果认为形貌可以改变，那就是对其进行加工了。
常规方法改变硅片表面的粗糙度，通常是研磨，抛光。
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2楼2014-05-19 07:52:26
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shuitong110

银虫 (小有名气)
引用回帖:
2楼: Originally posted by maccaboy at 2014-05-19 07:52:26
个人认为：退火一般是处理应力，对外在微观形貌（粗糙度）难有改观。如果认为形貌可以改变，那就是对其进行加工了。
常规方法改变硅片表面的粗糙度，通常是研磨，抛光。

但是我们的结构是微米纳米量级 无法采用机械方法进行研磨抛光。。
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3楼2014-05-19 08:32:46
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maccaboy

至尊木虫 (著名写手)
引用回帖:
3楼: Originally posted by shuitong110 at 2014-05-19 08:32:46
但是我们的结构是微米纳米量级 无法采用机械方法进行研磨抛光。。...

不明白，光学器件为什么关心侧壁的粗糙度呢？
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4楼2014-05-19 15:24:05
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