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xiehaimei515

金虫 (正式写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by 借世狂野 at 2014-05-17 16:13:37
我测得没看到SEI膜的...

不好意思,没太明白您什么意思,能不能说的详细点
加油
11楼2014-05-17 22:06:37
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JPDong1986

木虫 (正式写手)

将军

【答案】应助回帖

★ ★
xiehaimei515: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-05-20 08:56:14
第一个问题,首先你要明确你要做什么研究。因为硅在循环过程中晶体结构都会发生重整,随着循环增加,SEI会有所增厚。在明确研究角度后再确定怎么去除SEI;如果你是做薄膜的话,可以尝试用AFM刮去氧化层,这个方法效果非常好,如果是粉体的话,我没有看到行之有效的办法;
第二个问题,硅,特别是纳米级的硅在空气中非常容易氧化,几乎你买不到没有氧化的纳米硅,去除氧化层不是最根本的解决方向(当然氧化层不能太厚,氧含量不能太高;当然也有论文指出纳米级的二氧化硅也有很好的电化学循环性能);主要是看你的研究角度里是不是完全不能有氧化层的干扰。如果你是做硅的性能,建议在控制好氧含量的同时更多关注其他方向,不要太纠结于可忽略的氧化层(可忽略的度根据你自己实验的数据做适当控制,因为每个实验室,每个人操作方式不一样,做出来的电池最终性能不仅跟材料相关)。
希望对你有所帮组。
选择比努力更重要!
12楼2014-05-19 16:09:34
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xiehaimei515

金虫 (正式写手)

引用回帖:
12楼: Originally posted by JPDong1986 at 2014-05-19 16:09:34
第一个问题,首先你要明确你要做什么研究。因为硅在循环过程中晶体结构都会发生重整,随着循环增加,SEI会有所增厚。在明确研究角度后再确定怎么去除SEI;如果你是做薄膜的话,可以尝试用AFM刮去氧化层,这个方法效 ...

非常谢谢你。我做的是薄膜电极,用AFM刮去的是SEI膜还是氧化层;我主要想问的是循环之后的电极是不是很容易氧化,不是针对硅原材料。谢谢。除了AFM,您还知道别的比较简单的方法除去SEI膜吗?
加油
13楼2014-05-20 08:59:18
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借世狂野

金虫 (正式写手)

引用回帖:
7楼: Originally posted by xiehaimei515 at 2014-05-16 16:27:33
但是拉曼表征的话不去除SEI膜,得到的信息不就是SEI膜的信息吗?...

你可以先测试试试     XRD    SEM几乎无影响   FT-IR有影响
企业【职】专注锂离子电池研发——电化学小硕
14楼2014-05-21 08:44:06
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