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xiehaimei515

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10楼: Originally posted by 借世狂野 at 2014-05-17 16:13:37
我测得没看到SEI膜的...

不好意思，没太明白您什么意思，能不能说的详细点

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加油

11楼2014-05-17 22:06:37

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JPDong1986

木虫 (正式写手)

将军

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【答案】应助回帖

★ ★
xiehaimei515: 金币+2, ★★★很有帮助 2014-05-20 08:56:14

第一个问题，首先你要明确你要做什么研究。因为硅在循环过程中晶体结构都会发生重整，随着循环增加，SEI会有所增厚。在明确研究角度后再确定怎么去除SEI；如果你是做薄膜的话，可以尝试用AFM刮去氧化层，这个方法效果非常好，如果是粉体的话，我没有看到行之有效的办法；
第二个问题，硅，特别是纳米级的硅在空气中非常容易氧化，几乎你买不到没有氧化的纳米硅，去除氧化层不是最根本的解决方向（当然氧化层不能太厚，氧含量不能太高；当然也有论文指出纳米级的二氧化硅也有很好的电化学循环性能）；主要是看你的研究角度里是不是完全不能有氧化层的干扰。如果你是做硅的性能，建议在控制好氧含量的同时更多关注其他方向，不要太纠结于可忽略的氧化层（可忽略的度根据你自己实验的数据做适当控制，因为每个实验室，每个人操作方式不一样，做出来的电池最终性能不仅跟材料相关）。
希望对你有所帮组。

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选择比努力更重要！

12楼2014-05-19 16:09:34

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xiehaimei515

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引用回帖:

12楼: Originally posted by JPDong1986 at 2014-05-19 16:09:34
第一个问题，首先你要明确你要做什么研究。因为硅在循环过程中晶体结构都会发生重整，随着循环增加，SEI会有所增厚。在明确研究角度后再确定怎么去除SEI；如果你是做薄膜的话，可以尝试用AFM刮去氧化层，这个方法效 ...

非常谢谢你。我做的是薄膜电极，用AFM刮去的是SEI膜还是氧化层；我主要想问的是循环之后的电极是不是很容易氧化，不是针对硅原材料。谢谢。除了AFM，您还知道别的比较简单的方法除去SEI膜吗？

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加油

13楼2014-05-20 08:59:18

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