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vasp压力下计算band、dos、声子谱的问题
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dx0620
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vasp压力下计算band、dos、声子谱的问题
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如题,我如果压力下计算能带、态密度、声子谱的话,需要在INCAR中加压力吗?!
或者说我自洽的那一步跟最后计算相应性质的那一步需要加压力吗?
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1楼
2014-05-02 11:43:34
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6楼
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Originally posted by
mywai520
at 2014-05-02 14:50:06
要加,一致性!!!!!...
想请问界面不同的的结合环境如何在vasp体现区别呢 ,比如紧密结合与一般结合
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7楼
2014-05-02 16:06:41
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8楼
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mywai520
at 2014-05-02 16:52:39
界面结合的情况是优化出来的,你需要体现什么环境?环境是指什么?...
比如说两种材料的结合情况,有的可能结合的很紧密,有的则比较一般 ,我想体现结合很紧密的环境
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9楼
2014-05-02 17:25:43
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10楼
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mywai520
at 2014-05-02 18:36:51
材料结合紧密与否是由界面的情况决定的,只能通过优化结构得到,同样的界面,同样的参数,最终界面的情况也只有一种。除非你给材料加压,那么互相之间的作用就加强,那么就会紧密一些。总之,若是没有外力的作用, ...
哦 ,我看了关于加压的一些方法,有些事改变晶格的,不知道对于slab模型如何加压呢
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11楼
2014-05-02 18:57:06
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12楼
:
Originally posted by
mywai520
at 2014-05-02 21:58:31
可能这个回答比我回答要清楚,这个是小木上的一个回答:
1、构建模型,优化结构,找到最佳晶格常数;
2、改变你要施加应变方向的应变,如(001)方向,那你在POSCAR文件里设置变化,0.03或0.06什么都行(施加应变 ...
多谢大神啊
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13楼
2014-05-03 10:07:48
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12楼
:
Originally posted by
mywai520
at 2014-05-02 21:58:31
可能这个回答比我回答要清楚,这个是小木上的一个回答:
1、构建模型,优化结构,找到最佳晶格常数;
2、改变你要施加应变方向的应变,如(001)方向,那你在POSCAR文件里设置变化,0.03或0.06什么都行(施加应变 ...
又想请教您一些问题了,一是关于吸附的机理是什么,是靠什么作用呢 ?二是关于表面重构是在一定条件下发生的,那么我们在vasp计算条件下是否也会出现重构呢 ?我看到有很多人都是考虑的,是不是我们为了与实际相符所以才考虑重构呢?
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14楼
2014-05-03 16:30:37
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15楼
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Originally posted by
mywai520
at 2014-05-03 17:06:00
吸附一是成化学键,而是只是范德瓦尔斯力作用。若是化学键,表面基本上会出现一些变化,也就是说重构。...
额,第二个问题呢
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16楼
2014-05-03 17:18:33
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17楼
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mywai520
at 2014-05-03 17:24:27
若是化学键,表面基本上会出现一些变化,也就是说重构。...
好吧,我的意思重构是在一定环境下才有的还是说在0K 下真空环境也有呢 ?、
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18楼
2014-05-03 17:29:35
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19楼
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Originally posted by
mywai520
at 2014-05-03 18:09:26
环境就是你的结构。若是吸附原子,表面结构发生变化,这就重构。
当然你可以去设置加力啊,加电场啊。这些环境,但是这是另一个研究话题,就是加外力的情况下,会是怎样的一个重构。...
有个疑问,对于某一个指数面,是不是表面能是一定的,就是说我用不同的超胞得出来的表面能应该一样 或者相差甚微?
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20楼
2014-05-04 16:31:12
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