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janet2012222

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[交流] 感觉VASP计算缺陷存在很大问题

最近我用VASP在重复一篇盐岩结构的TiN因为缺陷在Ti3N4的时候由金属性转变为绝缘体的情况。一个晶胞去掉一个钛原子形成Ti3N4，用VASP不加对成性进行优化，无论使用或不使用LDA+U都得不到金属性质。后来发现VASP的离子弛豫（ISIF=3)之后，原子位置和晶胞参数（角度一直是90度）几乎不发生改变，也就是结构扭曲很小。而文献用FLAPW方法LDA+U计算得到的结构比较扭曲，是半导体性质。而我用CASTEP和Dmol3优化结构很明显扭曲但也不是半导体性质。
我怀疑过自己参数设置有问题，但经过老师检查参数设置没问题。进过一年多VASP的学习，我觉得VASP在优化缺陷方面真的不好。也许我计算时又很多不足。在这里请教大家是怎么做到让离子充分弛豫的。

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1楼2014-04-23 10:45:32

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dxcharlary

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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖

我觉得应该是使用的Ti的POTCAR问题，另外你真的确定你的参数没问题，我觉得你还是把参数贴出来的好。实在不行，就做个分子动力学，再优化。不过我觉得既然和castep的结果不一样，那就不应该是这个问题。
而且不明白你想做啥，这么高的浓度已经不是缺陷而是单晶了。另外不要轻易下结论“VASP在优化缺陷方面真的不好”。