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袁思嘉

铜虫 (初入文坛)

[求助] 微电子工艺 已有2人参与

做毕业设计，在钼片上用等离子体刻蚀出一个光阑，用的起是sf6和o2.怎么让它克的快，如果做掩蔽膜的话，用什么好？

[ 发自手机版 http://muchong.com/3g ]
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1楼 2014-04-08 22:24:33
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exciting73

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

可以用光刻胶做掩膜。
也可以用湿法蚀刻，速度更快。
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2楼2014-05-06 13:57:13
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sheng-hao

铜虫 (初入文坛)

【答案】应助回帖

一般的刻蚀用的掩模是氧化硅或者氮化硅，刻蚀速度取决于哪种刻蚀方法，可参考mems工艺
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机会要自己创造
3楼2014-05-12 19:13:49
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欧拉也不会

禁虫
本帖内容被屏蔽
4楼2020-05-15 18:12:40
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