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xubomatrix

铁虫 (小有名气)

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[求助] 我用的分子束外延做的半导体薄膜，方阻太大了已有2人参与

我用的MBE做的znsno3半导体薄膜，

实验结果，200nm左右半导体薄膜厚度透光率很高，百分之九十左右，可是方块电阻达到了0.5E5左右，
和文献上差的太远了，太大了
我一直在想，到底是什么原因造成此氧化物薄膜的电阻如此的高呢？？

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我终于相信，时间万般变化只是一个故事，不然怎会有那么多的起承转合，那么多伏笔、悬念，曲折与分晓，那么多情理之中与意料之外，那么多蓦然回首与恍然大悟。

1楼 2014-04-03 10:27:16

已阅回复此楼关注TA 给TA发消息送TA红花 TA的回帖

xubomatrix

铁虫 (小有名气)

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引用回帖:

4楼: Originally posted by 于士辉 at 2014-04-03 22:07:56
常温下生不成znsno3,可能就是ZnO和SnO2的混合物，结晶不了,导电性自然不好!薄膜里面那么多缺陷，非常影响导电性。建议还是不要做znsno3导电薄膜了,我曾经也做过,不过效果也是一直不好!不如做氧化锡或氧化锌好做。...

znsno3文献上写的就是非晶结构，且透明导电啊，我现在课题是定了的啊，就是想找个方法改进一下哪里的工艺，使得电阻下降