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1楼2014-03-15 20:14:40

陈勇跃

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【答案】应助回帖

感谢参与，应助指数 +1
chemlh: 欢迎积极交流 2014-03-16 15:35:51

因数较多，跟绝缘层有关系，绝缘层和有源层界面的充放电也有关。

2楼2014-03-15 20:55:27

MMC11

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2楼: Originally posted by 陈勇跃 at 2014-03-15 20:55:27
因数较多，跟绝缘层有关系，绝缘层和有源层界面的充放电也有关。

绝缘层和有源层界面的充放电也有关，能具体说明一下嘛，谢谢。

3楼2014-03-16 11:52:35

MMC11

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跟绝缘层的哪些方面有关呢，？有时候测试加氟的电压，电流也会为正直。

4楼2014-03-16 17:27:11

陈勇跃

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【答案】应助回帖

mjx150: 欢迎到本版交流 2014-03-17 10:44:36

绝缘层中会有一些可移动离子带电，有缺陷可以trap和detrap电子，以及由于绝缘层和有源层不是同种材料，它们之间的界面失配会引起有界面态存在。我们加栅压的时候只是确保栅极电压为正极，有这些因数后会使理想状况的阈值电压发生漂移，导致阈值电压为负数

5楼2014-03-16 17:51:32

MMC11

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5楼: Originally posted by 陈勇跃 at 2014-03-16 17:51:32
绝缘层中会有一些可移动离子带电，有缺陷可以trap和detrap电子，以及由于绝缘层和有源层不是同种材料，它们之间的界面失配会引起有界面态存在。我们加栅压的时候只是确保栅极电压为正极，有这些因数后会使理想状况的 ...

哦，非常感谢，有这方面的书或相关文献嘛，麻烦推荐一下

6楼2014-03-16 18:51:53

陈勇跃

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引用回帖:

6楼: Originally posted by MMC11 at 2014-03-16 18:51:53
哦，非常感谢，有这方面的书或相关文献嘛，麻烦推荐一下...

刘恩科的半导体物理
斯敏的半导体器件物理

7楼2014-03-17 11:18:15

fansonic

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【答案】应助回帖

这是depletion-mode了，因为carrier concentration过大。

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8楼2014-07-07 01:48:01

fansonic

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引用回帖:

interface face traps？原因在于channel的carrier concentration过大，这是目前p-type oxide TFT的问题所在。depletion-mode device。你过段时间搜下这篇文章吧。Mobility assessment of depletion-mode oxide thin-film transistors using comprehensive depletion-mode model

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9楼2014-07-07 01:50:16