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lzlgcdc

金虫 (正式写手)

[求助] EV曲线计算问题已有2人参与

各位大侠  求教一个问题   在做EV曲线时   INCAR是以什么标准设置的参数?  
我现在对一个结构在ISIF=3下  优化过    但是想算一下体积模量    所以需要重算  这时候怎么简便点呢 ?  能不能就是做EV曲线的时候只改变晶格参数 不改变原子位置  静态计算得到的能量  画出EV曲线?  

感激啊
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tianyali5665

新虫 (初入文坛)

引用回帖:
6楼: Originally posted by jghe at 2014-03-10 10:53:09
没关系,交流而已!
我完全不同意你的观点,也可能我们所讨论的问题不一样。
VASP在优化的时候会考虑对称性的,如果有两个相,就要做两个EV曲线,在高压下就会观察到曲线交叉(相变)。你所说的大概是比较简单的 ...

我不明白的一点是,在侯老师的教程中,“以六角结构的Mg为例计算E-V关系,在结构优化的时候用了ISIF=5,即不改变元胞的体积,不进行原子位置的弛豫,但改变元胞的形状”,
疑问1
在计算E-V数据的时候,晶格常数要在实验晶格常数附近改变,这样晶格常数改变了,元胞的体积不就改变了吗?
疑问2
为什么要改变元胞的形状呢?
8楼2014-03-10 11:37:06
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jghe

金虫 (著名写手)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
lzlgcdc: 金币+5, ★★★★★最佳答案 2014-03-10 02:07:56
ISIF=3 是全优化。做EV曲线,要用ISIF=4 固定体积优化,然后拟合E-V。可以从你ISIF=3优化好的结构开始左右各取5个点,优化,算能量。
2楼2014-03-10 00:08:29
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lzlgcdc

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by jghe at 2014-03-10 00:08:29
ISIF=3 是全优化。做EV曲线,要用ISIF=4 固定体积优化,然后拟合E-V。可以从你ISIF=3优化好的结构开始左右各取5个点,优化,算能量。

大侠  从你ISIF=3优化好的结构开始左右各取5个点 这句不太理解
能再解释下吗   再优化的话NSW设置多少合适呢?
3楼2014-03-10 02:08:58
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lzlgcdc

金虫 (正式写手)

引用回帖:
2楼: Originally posted by jghe at 2014-03-10 00:08:29
ISIF=3 是全优化。做EV曲线,要用ISIF=4 固定体积优化,然后拟合E-V。可以从你ISIF=3优化好的结构开始左右各取5个点,优化,算能量。

大侠  我是想着 ISIF=3优化后得到了较为准确的结构   然后做EV曲线时候  晶格缩放后  继续优化  大概跑完也是在ISIF=3的那种结构
大侠意思这样是不对的   是不是说改变晶格参数后  再优化  材料的结构都变化了
4楼2014-03-10 02:49:50
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