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farfaraway08铜虫 (著名写手)
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高手帮忙分析下：关于半导体氧化还原能力评价的理论问题 已有1人参与
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大家好，最近我算了一个半导体的电子结构的性质，在对其半导体的氧化还原能力进行计算分析的时候是采用很多文献上都用的一种方法：E（VB）=x-Ee+1/2Eg，E（vB）=E（VB）-Eg。接着就分析X的计算方法，主要是通过计算化合物中组成原子mulliken的电负性这方面来说明。 但是在交给审稿人后，审稿人的意见是： “They used an approximation that determines the band edge position uniquely by its atomic composition. However, there is no proof that this simple approximation is correct. It is well know that band gap and band edge positions depend sensitively on the crystal structure of the compound. For example, the well-studied TiO2 in rutile and anatase structures have different band gaps and band edges (some recent papers argue rutile TiO2 has higher CBM despite it has lower band gap). I think some comments and error estimate should be given to justify the use of their method in estimate the band edge positions ” 我对这段话有点不太明白，是不是因为我用这种方法的计算结果是不正确的呢，还是说我需要对采用这种方法来计算的结论进行一定的分析和评论，以及将计算结果与实验值或者别人的文献来进行比对来证明我所采用的这种方法是正确 的么？ 还请虫友们大家一起帮忙分析下！先谢谢大家了，金币不多，诚意不减！ |
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farfaraway08
铜虫 (著名写手)
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送红花一朵 
3楼2014-02-21 10:40:42
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求LZ这种方法的参考文献一看~ 一般我们算band allignment要不用superlattice，要不用slab model，对LZ的方法不是很了解 而且那些方法因为各种原因估算的都不是很准的。。。 |
» 本帖已获得的红花（最新10朵）
2楼2014-02-21 00:24:41
【答案】应助回帖
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感谢参与，应助指数 +1
farfaraway08: 金币+10, ★★★★★最佳答案, 嗯，对，我就是这个意思，谢谢你的热心帮助，还是好心人多呀！！！感谢 2014-02-21 13:19:24
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关于slab model的计算方法见Phys. Rev. B 85, 035305 (2012) 现在几种算band allignment的方法都不是很准，一般误差都在0.x个eV 感觉没有必要把各种算band allignment的方法都去测试一遍了。。。太费时间。。。 回应referee可以说只是定性的估计，定量的算不准是理论计算本身的局限性。。。 |
4楼2014-02-21 12:36:02
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