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对于掺有杂质的半导体，其中的多数载流子主要就是由杂质电离所提供，而其中的少数载流子则是由本征激发所产生的。这没问题。 但是，为什么在杂质全电离情况下，多数载流子浓度基本上与温度无关，但少数载流子则随着温度将指数式增大？热激发产生的多子和少子应该成对出现啊，所以，随着温度升高，新产生的多子也应该指数式增大。这样，即使温度升高，多子也应该始终大于少子，不会出现两种载流子数量相等的本征状态啊。 还有：势垒区中也满足np=ni2啊，为什么说势垒区载流子浓度很小。还有势垒区n=p？ |
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