| 查看: 1470 | 回复: 1 | |||
[交流]
半导体的native oxide问题
|
| 半导体产业中，Si的一大优势就是它很容易得到native oxide作为insulating layer, 实现mos结构， 那么第二代半导体GaAs呢，有的资料中提到它没有native oxide，但在有的文章中却默认为会产生native oxide而进行研究和解释。 所以实际情况是什么样的呢？ 常见的半导体中，哪些有native oxide，哪些没有native oxide呢？ 掺杂以后对这一性质有影响吗？比如InGaAs，AlGaAs？ ZnO或掺杂的ZnO会有类似的性质以产生insulating layer吗？ |
回复此楼» 猜你喜欢
香港大学仿生材料与生物集成器件研究组招生招聘25-26
已经有1人回复
-
光固化聚硅氧烷SiOC陶瓷前驱体烧结开裂
已经有5人回复
-
冶金与矿业论文润色/翻译怎么收费?
已经有284人回复
-
氧化亚铜光电阴极产氢
已经有0人回复
-
智能故障诊断及结构可靠性设计分析优化前沿技术
已经有5人回复
-
FDTD与Python超表面智能设计前沿技术
已经有0人回复
-
AI有限元复合材料多尺度材料性能预测技术
已经有0人回复
-
机器学习辅助复合材料性能预测开发设计优化前沿技术
已经有0人回复
-
分享一本适合FLUENT入门的书
已经有1人回复
» 本主题相关价值贴推荐，对您同样有帮助:
- 【其他】征集第一性原理计算方面牛人的主页【活动结束】
已经有80人回复
» 抢金币啦！回帖就可以得到:
-
散金祈福
+1/598
-
南京都市圈高校大龄离异博士征友
+2/552
-
湖北大学食品安全研究团队诚招博士后
+1/178
-
《春节催婚季，90后男生在线“招募”战友，一起过个轻松年》
+1/153
-
最新看到一个观点：说高校教师的斩杀线是青基和面上
+1/83
-
南京大学 统计与机器学习理论方向 博士招生
+1/34
-
有没有在ITO或者FTO玻璃上做好的CdS薄膜购买？
+1/31
-
复旦大学彭慧胜院士团队 | 招聘有机合成方向博士后、博士生及科研助理
+1/22
-
天津大学化学系吴立朋课题组申请考核制博士招生/博后招聘-有机化学，金属有机
+1/14
-
口腔健康的标准
+1/12
-
北京理工大学计算材料化学课题组招聘2026年博士生/博后
+3/12
-
天津大学化学系吴立朋课题组申请考核制博士招生/博后招聘
+1/11
-
招收2026级博士
+1/8
-
天津大学化学系吴立朋课题组申请考核制博士招生/博后招聘
+1/8
-
中国地质大学（武汉）戴志高课题组诚招2026级硕博研究生
+1/5
-
长春工业大学 机电工程学院 韩玲 招收申请审核制2026年秋季入学博士生
+1/5
-
北京师范大学与企业联合招聘博士后、全职、兼职人员
+1/3
-
武汉理工大学胡老师课题组招收2026年博士研究生
+1/2
-
北京理工大学集成电路与电子学院国家杰青团队招博士后及科研助理
+1/2
-
中国科大电池方向任晓迪课题组招收2026级博士生-电解液/电池安全性/人工智能方向
+1/1
|
看来会有Ga的氧化和As的氧化行为存在，但在常温空气条件下，氧化行为会产生足以被认为是insulating layer的效果吗？ In order to know more about the surface state of GaAs(100) epitaxial wafer during a storage period of two years, the XPS analysis was carried out four times on the surface, respectively polished by chemical etching, stored in desiccator for half a year, one year and two years. The results indicated that even after cleaned by proper etchant solutions, the fresh surface was slightly oxidized with Ga2O3, As2O3 and organic contaminant. The epi-wafer was always exposed to air during the storage period, so more and more oxides turned out. The mixed oxide layer comprised of C-OR, COOR, Ga2O3, As2O3 and As2O5 appeared after only half a year. In the ageing process of two years, the oxide types of gallium or arsenic did not change with stable content of Ga2O3 and remarkably fluctuating relative contents of As2O3 and As2O5. Proc. SPIE 8912, International Symposium on Photoelectronic Detection and Imaging 2013: Low-Light-Level Technology and Applications, 89120N (August 16, 2013); doi:10.1117/12.2033679 |
2楼2014-01-08 17:32:53