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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 计算模拟区 » 第一性原理 » Vasp&MedeA » partial chargedensity
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anewtry

金虫 (小有名气)

[交流] partial chargedensity

各位前辈，大家好。
  我最近想算Cu2SnSe3的partial chargedensity.看VASP说明书上说用 Band decomposed chargedensity 能算 ，我尝试了下。但有一点不明白，比如说文献上说The VBM is set to be 0.不知道是怎么设置的。请会的进来交流下。谢谢了。
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1楼2013-12-04 17:03:52
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anewtry

金虫 (小有名气)
引用回帖:
6楼: Originally posted by jpchou at 2013-12-06 14:42:43
一樣的
回想一下 Fermi level (Fermi energy) 的定義
電子出現機率為0 的 level
也就是在 Fermi energy 上是沒有任何原子貢獻
在 Fermi energy 到 VBM ~ 也是沒有任何東東
所以~假設 VBM = -0.1 ， Fermi ener ...

还想请教下，文献里upper valance charge densities 是说的算的靠近费米能级的电荷密度吗？deep valance band 是什么意思呢？谢谢
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8楼2013-12-06 16:34:44
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anewtry

金虫 (小有名气)
请知道的前辈们多多指教，谢谢了
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2楼2013-12-05 15:34:06
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胡永红

金虫 (小有名气)
★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
同问，不就是一个参数设定吗？！
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3楼2013-12-05 16:35:05
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jpchou

专家顾问 (著名写手)
★ ★
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-12-06 10:51:52
你想做 band decomposed analysis 還是 STM ??
http://valenhou.blog.edu.cn/2005/133247.html

band decomposed
LPARD = T
LSEPK = T
LSEPB = T
KPUSE = 1 2 3 4 5 6 7
IBAND = 600 601 602 603 604
詳情就去看我給的那個網頁即可

STM simulation
LPARD = .TRUE.
EINT  = -2.0
NBMOD = -3

這邊我想講一下
如果用 NBMOD = -3
則 EINT 只要給一個值就好
VASP 就會積分~?� fermil level 到 EINT 的能量範圍內做積分

若你想用 NBMOD = -2
則 EINT 要給兩個數字
這兩個數字就是能量積分的下限與上限
能量要對照 OUTCAR 內的能量去給定
若是用了 NBMOD = -2  (若不給~預設就是 NBMOD = -2)
EINT 卻只給一個數字
則 VASP 會自動把另一個值設為 0

所以如果你是要做 STM simulation
要注意一下 OUTCAR 內提到的能量範圍是否真的是你要的
Selected energy range (EINT)  x.xxx   y.yyy
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4楼2013-12-06 01:30:30
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