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partial chargedensity
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各位前辈，大家好。 我最近想算Cu2SnSe3的partial chargedensity.看VASP说明书上说用 Band decomposed chargedensity 能算 ，我尝试了下。但有一点不明白，比如说文献上说The VBM is set to be 0.不知道是怎么设置的。请会的进来交流下。谢谢了。 |
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请问哪里可以有青B申请的本子可以借鉴一下。
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-12-06 10:51:52
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-12-06 10:51:52
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你想做 band decomposed analysis 還是 STM ?? http://valenhou.blog.edu.cn/2005/133247.html band decomposed LPARD = T LSEPK = T LSEPB = T KPUSE = 1 2 3 4 5 6 7 IBAND = 600 601 602 603 604 詳情就去看我給的那個網頁即可 STM simulation LPARD = .TRUE. EINT = -2.0 NBMOD = -3 這邊我想講一下 如果用 NBMOD = -3 則 EINT 只要給一個值就好 VASP 就會積分~?� fermil level 到 EINT 的能量範圍內做積分 若你想用 NBMOD = -2 則 EINT 要給兩個數字 這兩個數字就是能量積分的下限與上限 能量要對照 OUTCAR 內的能量去給定 若是用了 NBMOD = -2 (若不給~預設就是 NBMOD = -2) EINT 卻只給一個數字 則 VASP 會自動把另一個值設為 0 所以如果你是要做 STM simulation 要注意一下 OUTCAR 內提到的能量範圍是否真的是你要的 Selected energy range (EINT) x.xxx y.yyy |
4楼2013-12-06 01:30:30