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partial chargedensity
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各位前辈，大家好。 我最近想算Cu2SnSe3的partial chargedensity.看VASP说明书上说用 Band decomposed chargedensity 能算 ，我尝试了下。但有一点不明白，比如说文献上说The VBM is set to be 0.不知道是怎么设置的。请会的进来交流下。谢谢了。 |
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
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稍看了一下文獻 我的感覺是內文提到的 upper or deep valence band 只是一個模糊的說法 相對於 VBM (valence band maximum) upper valence band 就是跟字面上意思一樣 只是指"較高"的 band 同理，deeper 就是指較低，內文提到所謂 deeper 是在 -4 ~ -8 eV below VBM 有定義了 deeper 在那個範圍~後面提到的 deep 當然就是指這個範圍內(亦或更低) 關於 upper valence band 你可以看到 page 7 的 2. Conductive network 第一段的最後 Here we look into the details of partial charge density distribution in different energy regions of the upper VB for Cu2SnX3 (X = Se, S) systems. 然後第二段就開始看圖說故事~對照到 Figure 9 它就給你看三部份 0~ -0.1 eV -0.1 ~ -0.2 eV -0.2 ~ -0.3 eV 這些~就是它指的 "upper" 是有多 upper ? 定不出?� 就~~~~ upper ........ 我想它也很無奈~用這樣不精準的說法 |
13楼2013-12-07 17:25:45
2楼2013-12-05 15:34:06
3楼2013-12-05 16:35:05
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小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-12-06 10:51:52
小木虫: 金币+0.5, 给个红包，谢谢回帖
sunyang1988: 金币+1, 谢谢交流 2013-12-06 10:51:52
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你想做 band decomposed analysis 還是 STM ?? http://valenhou.blog.edu.cn/2005/133247.html band decomposed LPARD = T LSEPK = T LSEPB = T KPUSE = 1 2 3 4 5 6 7 IBAND = 600 601 602 603 604 詳情就去看我給的那個網頁即可 STM simulation LPARD = .TRUE. EINT = -2.0 NBMOD = -3 這邊我想講一下 如果用 NBMOD = -3 則 EINT 只要給一個值就好 VASP 就會積分~?� fermil level 到 EINT 的能量範圍內做積分 若你想用 NBMOD = -2 則 EINT 要給兩個數字 這兩個數字就是能量積分的下限與上限 能量要對照 OUTCAR 內的能量去給定 若是用了 NBMOD = -2 (若不給~預設就是 NBMOD = -2) EINT 卻只給一個數字 則 VASP 會自動把另一個值設為 0 所以如果你是要做 STM simulation 要注意一下 OUTCAR 內提到的能量範圍是否真的是你要的 Selected energy range (EINT) x.xxx y.yyy |
4楼2013-12-06 01:30:30