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wjy_421

新虫 (小有名气)

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[求助] 磁控溅射制备氮化铟薄膜

我想要制备氮化铟薄膜，用纯金属铟为靶材，氮气和氩气为反应气体，我现在不知道，是该用直流反应溅射制备好还是用射频反应溅射制备比较好，请教高手，为我解答哪种方法得到薄膜比较好？如果用直流反应溅射的话，直流负高压应该为多少合适呢？多谢

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1楼 2013-11-26 15:22:40

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老冒

木虫 (小有名气)

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【答案】应助回帖

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华丽的飘过: 金币+4, 3q 2013-11-27 02:28:47
wjy_421: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-11-27 09:09:10

对于金属靶，直流和射频都差不多。如果让我选，就选直流，避免射频的辐射。至于高压加多少，那还要和气体流量、溅射速度等因素综合考虑，那就是具体的工艺了，针对你的需要来摸索。我通常是压力维持在0.5pa左右，起辉后能够溅射即可。一家之言仅供参考。

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诗意人生跑龙套

2楼2013-11-26 21:13:08

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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

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【答案】应助回帖

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wjy_421: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-11-27 09:09:18

如果氮气分压高的话，建议射频！反之如果氩气分压高则用直流亦可！其实如楼上所言，这里直流、射频都应该没问题，只不过同等功率下直流溅射速率可能会稍微慢！具体的气压、电压、气体混合比等工艺参数都是不同装置不同设定，没有一个定论该多少的。楼主可以慢慢摸一些工艺，试着逐步改变一些参数，应该是能得到不同氮含量的薄膜，最后选择一个最适合自己的那个氮含量的参数！

话说楼主能否给俺科普一下，氮化铟薄膜可以用来干啥？

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趁年轻，多折腾！曾年轻，折腾过？！

3楼2013-11-27 07:03:03

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wjy_421

新虫 (小有名气)

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引用回帖:

3楼: Originally posted by leongoall at 2013-11-27 07:03:03
如果氮气分压高的话，建议射频！反之如果氩气分压高则用直流亦可！其实如楼上所言，这里直流、射频都应该没问题，只不过同等功率下直流溅射速率可能会稍微慢！具体的气压、电压、气体混合比等工艺参数都是不同装置不 ...

我学的专业是光学，我主要是研究其光学性质

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当你站在高处时能让别人看清你，当你跌落低谷时,你能看清所有人

4楼2013-11-27 09:08:49

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