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wjy_421

新虫 (小有名气)

[求助] 磁控溅射制备氮化铟薄膜

我想要制备氮化铟薄膜,用纯金属铟为靶材,氮气和氩气为反应气体,我现在不知道,是该用直流反应溅射制备好还是用射频反应溅射制备比较好,请教高手,为我解答哪种方法得到薄膜比较好?如果用直流反应溅射的话,直流负高压应该为多少合适呢?多谢
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老冒

木虫 (小有名气)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
华丽的飘过: 金币+4, 3q 2013-11-27 02:28:47
wjy_421: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-11-27 09:09:10
对于金属靶,直流和射频都差不多。如果让我选,就选直流,避免射频的辐射。至于高压加多少,那还要和气体流量、溅射速度等因素综合考虑,那就是具体的工艺了,针对你的需要来摸索。我通常是压力维持在0.5pa左右,起辉后能够溅射即可。一家之言仅供参考。
诗意人生跑龙套
2楼2013-11-26 21:13:08
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leongoall

专家顾问 (知名作家)

P-M-I之初生牛犊

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
wjy_421: 金币+5, ★★★很有帮助 2013-11-27 09:09:18
如果氮气分压高的话,建议射频!反之如果氩气分压高则用直流亦可!其实如楼上所言,这里直流、射频都应该没问题,只不过同等功率下直流溅射速率可能会稍微慢!具体的气压、电压、气体混合比等工艺参数都是不同装置不同设定,没有一个定论该多少的。楼主可以慢慢摸一些工艺,试着逐步改变一些参数,应该是能得到不同氮含量的薄膜,最后选择一个最适合自己的那个氮含量的参数!

话说楼主能否给俺科普一下,氮化铟薄膜可以用来干啥?
趁年轻,多折腾!曾年轻,折腾过?!
3楼2013-11-27 07:03:03
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wjy_421

新虫 (小有名气)

引用回帖:
3楼: Originally posted by leongoall at 2013-11-27 07:03:03
如果氮气分压高的话,建议射频!反之如果氩气分压高则用直流亦可!其实如楼上所言,这里直流、射频都应该没问题,只不过同等功率下直流溅射速率可能会稍微慢!具体的气压、电压、气体混合比等工艺参数都是不同装置不 ...

我学的专业是光学,我主要是研究其光学性质
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4楼2013-11-27 09:08:49
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coatingzhang

捐助贵宾 (小有名气)

本帖内容被屏蔽

5楼2013-11-30 22:33:13
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jiahong517

铁虫 (初入文坛)

本帖内容被屏蔽

6楼2014-05-27 00:41:22
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