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longjfk

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

引用回帖:
9楼: Originally posted by 盛夏冰凌99 at 2013-09-16 16:20:12
额,这位虫友问的好专业啊,就是用的安捷伦的阻抗仪测的。我觉得应该是平行极板法。你对我的提出的问题有见解么?请不吝赐教!...

你这肯定是平行板电极方法测得哈,都这么低频了~谐振腔法一般是用作微波频段的测量,你这100MHZ以下的基本上都是电桥法解决的。
这家伙很懒,什么都没有留下
11楼2013-09-16 18:43:03
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longjfk

捐助贵宾 (正式写手)

【答案】应助回帖

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这家伙很懒,什么都没有留下
12楼2013-09-16 18:44:04
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盛夏冰凌99

铁杆木虫 (正式写手)

引用回帖:
10楼: Originally posted by longjfk at 2013-09-16 18:40:51
1. 在低频主要是界面极化,你说你从10Hz-1kHz下降很厉害,正好说明了这一点。
2. 1 phr 很少了,不知道你填料的尺寸是多少。或者虚部怎么样,我觉得如果损耗太大,你这个提高就算1000倍又能怎么样?
3. LZ说你用 ...

谢谢这位虫友的应助!填料氧化石墨烯的尺寸不均匀,大的片层2-3μm,小的片层的话300-500nm。关于介电损耗,在低频下10Hz下,损耗提高8倍左右,随着频率的增加,介电损耗大幅度下降,频率1000Hz时,损耗提高近10倍,看来介电损耗是很大的。关于Aglient设备,没注意是什么型号的,夹具的话是没法描述,样品尺寸没有太多要求,只要样品面积大于夹具的测试面积就行。
行到水穷处,坐看云起时
13楼2013-09-16 22:55:20
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仲夏夜的梦

木虫 (小有名气)

引用回帖:
13楼: Originally posted by 盛夏冰凌99 at 2013-09-16 22:55:20
谢谢这位虫友的应助!填料氧化石墨烯的尺寸不均匀,大的片层2-3μm,小的片层的话300-500nm。关于介电损耗,在低频下10Hz下,损耗提高8倍左右,随着频率的增加,介电损耗大幅度下降,频率1000Hz时,损耗提高近10倍 ...

很巧合,我最近也在研究利用这一体系做些器件。低频下应该主要是界面极化,如形成双电层。但更细的理论我也在思考,所以欢迎楼主和这位回答的朋友一起讨论。另外,我这里的设备可以测到1Hz以下
大音希声,大象无形
14楼2013-09-18 13:43:25
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北海金城武

铁虫 (初入文坛)

大家一般说的是材料的相对介电常数吗。。。看到文献上面老是直接说dielectric content,,不知道这个是相对介电常数还是真实的介电常数ε=ε0*εr。。到底是哪个。。谢谢了
15楼2016-03-29 15:01:27
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