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小木虫论坛-学术科研互动平台 » 材料区 » 功能材料 » 功能薄膜 » 求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试
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王致远

金虫 (著名写手)

[求助] 求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试 已有3人参与

本人最近在做ZnO/SiO2/n-type-Si 的TFT结构，想做其IV测试，但是效果一直不理想。希望有了解的人给予帮助。
我的样品为100nmZnO，100nmSiO2，n-type Si（电阻率2.3-4.3Ω·cm），在ZnO表面做了两个金（Au)电极，电极间距为2mm，电极宽度为5mm。在Si衬底上用银胶连接了铜引线(如图1）。
我测试的问题主要有两点：第一点，我的实验Ids 一般mA量级，然而文献中的多为uA量级，比我的小多了。第二点，文献中的Vgs加一定的电压时，在Vds=10V左右就出现了饱和。但是我的测试一直没有测试出饱和区。

图2-图5是从不同文章中截的图。

期待做过相关测试的同学给予帮助。
求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试
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求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试-1
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求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试-2
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求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试-3
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求助 ZnO 薄膜器件（TFT）的IV测试-4
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1楼 2013-07-15 02:23:53
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科大我来了

新虫 (初入文坛)
引用回帖:
7楼: Originally posted by Fateam at 2013-07-16 19:13:52
比较粗糙的说，源漏电流大小和你电极的大小有关系。文献的电流小，可能电极也比你小得多。这个不是问题的主因。你的器件制备尺寸也太大了，换一个小一点的模版吧。一般来说，膜越大，缺陷问题也就越多，性质也差。
...

可以私信我吗？讨论下
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22楼2018-01-08 17:13:14
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wiseroy

木虫 (著名写手)

更多共享-更多交流-更多进步

【答案】应助回帖

★ ★
感谢参与，应助指数 +1
王致远: 金币+2, ★有帮助 2013-07-15 22:26:15
感觉薄膜有点漏电？是不是可以退火？
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善良
2楼2013-07-15 20:05:07
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王致远

金虫 (著名写手)
引用回帖:
2楼: Originally posted by wiseroy at 2013-07-15 20:05:07
感觉薄膜有点漏电？是不是可以退火？

SiO2 薄膜100nm，不会有漏电流吧？
赞一下 回复此楼
3楼2013-07-15 22:28:01
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wiseroy

木虫 (著名写手)

更多共享-更多交流-更多进步
引用回帖:
3楼: Originally posted by 王致远 at 2013-07-15 22:28:01
SiO2 薄膜100nm，不会有漏电流吧？...

因为是做实验，所以，我也是猜测，氧空位
赞一下(1人) 回复此楼
善良
4楼2013-07-15 22:31:23
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