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单层原子态密度VASP计算设置问题
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stractor
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专业: 半导体材料
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单层原子态密度VASP计算设置问题
我在计算一层B原子的纳米材料的DOS,它是金属。在态密度计算中我考虑了两种方案:设置ISMEAR=0,K点设置为比如15*15*1(真空层方向K点设置1);四面体方法,设置1SMEAR=-5,K点设置15*15*5。不知那种合理或者有什么方法更好?
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1楼
2013-06-27 10:38:42
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stractor
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6楼
:
Originally posted by
fanarsenal
at 2013-06-28 10:06:37
这种说法我表示有些怀疑,manul从来没用比较级来说明不同的ismear对电子态密度的影响。Gaussian smearing 基本上都会给出合理的结果。
手册只是提到四面体方法可以给出较精确的总能和DOS,也推荐在计算DOS的用ISMEAR=-5。但ISMEAR=-5的K店划分要大于4*4*4,显然我这个体系不能取这样的K点,也就不能用ISMAER=-5。
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7楼
2013-06-28 14:50:49
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专业: 金属结构材料
一层原子,是指的表面吗?就不是合不合理的问题,应该是对不对的问题。
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2楼
2013-06-27 11:07:06
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专业: 凝聚态物性 II :电子结构
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2013-07-01 23:57:38
ISMEAR=0,K点设置为比如15*15*1 就可以啊。
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3楼
2013-06-27 11:15:02
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2楼
:
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fanarsenal
at 2013-06-27 11:07:06
一层原子,是指的表面吗?就不是合不合理的问题,应该是对不对的问题。
不是表面,相当于石墨烯,就是一层原子,x,y方向周期结构,z方向就一层,为真空。
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4楼
2013-06-27 11:24:21
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