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lijuanshu

铜虫 (正式写手)

[求助] 如何用VASP做第一性原理拉伸?

我研究B元素在基体元素A晶界处偏聚的有关性质。实验表明:B是增强晶界的元素,对纯A的材料进行拉伸,会在晶界处断裂,而对含有B的A材料进行拉伸,则会在体内断裂。我想用VASP模拟计算得出类似的结果,在拉伸时,我只是简单的增加Z轴,其他保持不变,但是目前存在的问题有以下几方面:
1. 建模的时候需要固定外层原子吗?需要加真空层吗?如果有真空层,好像要加10埃以上,在拉伸时,会有一部分应力作用的真空层上,那真正作用在材料上的应变不就不准确了?
2.为了与实验结果想对比,在拉伸时,应变为5%, 10%的结果是分别进行拉伸,还是先拉伸到5%,在此基础上拉伸到10%,即逐渐进行拉伸?
3.我看有关第一性原理拉伸的结果好像都是在晶界处断裂的,但是如果我的基体材料中含有B,理论上讲就不可能在晶界处断裂,各位虫友有看到过在体内断裂的吗?还希望提供相关文献啊。
各位虫友如能真正帮我理清思路,解决问题,必将赠送30金币,如觉不够,可与我联系,还可继续追加,谢谢啦。
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第一性原理VASPLinux这些都要学啊
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lijuanshu

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by valenhou001 at 2013-06-28 08:02:27
这些问题,自己要先做好文献调研。
1、先构造好A的晶界模型。如果A是块体材料而非薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类的纳米片状材料的话,那你建的晶界模型不需要含真空层。如果A是薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类 ...

非常感谢您的回复,我模拟的是块体材料,一共取了24层(没有取真空层,也没有固定任何原子),如图1所示。模拟拉伸时也是逐渐进行的,间隔为1%的应变。对纯A晶界进行拉伸时,图2是应变为0%的电荷密度图,图3是应变为19%的电荷密度图(实验上在应变为12%时发生断裂),从图中可以看出,应变基本上是均匀分布在整个模型上的,并不像文献中说的集中分布在晶界处,在应变为19%并没有发生断裂,也与实验不符,不知道什么原因,还请老师帮忙解决问题,谢谢啦。
如何用VASP做第一性原理拉伸?
图1.jpg


如何用VASP做第一性原理拉伸?-1
图2.jpg


如何用VASP做第一性原理拉伸?-2
图3.jpg

第一性原理VASPLinux这些都要学啊
4楼2013-06-29 10:04:38
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lijuanshu

铜虫 (正式写手)

怎么都没人回复啊。。。。。
第一性原理VASPLinux这些都要学啊
2楼2013-06-27 22:55:56
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valenhou001

至尊木虫 (职业作家)

【答案】应助回帖

★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★ ★
感谢参与,应助指数 +1
fzx2008: 金币+5, 专家考核, 谢谢指导 2013-06-28 19:21:54
lijuanshu: 金币+30, ★★★★★最佳答案 2013-06-29 09:13:24
这些问题,自己要先做好文献调研。
1、先构造好A的晶界模型。如果A是块体材料而非薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类的纳米片状材料的话,那你建的晶界模型不需要含真空层。如果A是薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类的纳米片状材料的话,那晶界模型得含真空层。构造晶界模型的初始结构时,不存在什么固定这个那个的,构造好了之后都得结构优化。
2、拉伸的模拟最好是逐渐拉伸的,即拉伸应变量从0以等间隔量比如0.1或0.2或更小值。为了保证比较好的连续性,后一个应变时的初始结构(原子位置或非应变方向上的晶格基矢)可从前一个应变量时的结构优化结果中取出。
3、对二维薄片材料,只能是薄片内的面内拉伸。
3楼2013-06-28 08:02:27
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lijuanshu

铜虫 (正式写手)

引用回帖:
3楼: Originally posted by valenhou001 at 2013-06-28 08:02:27
这些问题,自己要先做好文献调研。
1、先构造好A的晶界模型。如果A是块体材料而非薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类的纳米片状材料的话,那你建的晶界模型不需要含真空层。如果A是薄膜或二维的比如石墨烯、MoS2之类 ...

问题还没解决,还麻烦您帮忙分析下我的计算结果啊,不胜感激。
第一性原理VASPLinux这些都要学啊
5楼2013-07-01 10:32:33
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